[發(fā)明專利]一種太陽能級(jí)直拉單晶硅的生產(chǎn)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510822124.2
• 申請(qǐng)日: 2015-11-24
• 公開（公告）號(hào): CN105239152A
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王曉偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 王曉偉
• 主分類號(hào): C30B15/00
• 分類號(hào): C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太陽能級(jí)直拉單晶硅的生產(chǎn)方法，其特征在于：包括如下步驟：

(1)加料：根據(jù)需要的半導(dǎo)體類型將硅原料和攙雜劑放入石英坩堝內(nèi)；

(2)熔化：將單晶爐關(guān)閉并抽真空，使得單晶爐內(nèi)的壓強(qiáng)維持在4Pa以下，然后將加熱功率一次性升至90～94千瓦；

(3)穩(wěn)溫：當(dāng)硅原料熔化成液體后將加熱功率降至40千瓦并投入溫度自動(dòng)程序，溫度自動(dòng)程序使得爐內(nèi)溫度保持恒定并維持恒溫1.5個(gè)小時(shí)；

(4)引晶：調(diào)整堝位使得硅液液面距導(dǎo)流筒的距離為25～28mm，將晶轉(zhuǎn)設(shè)為6圈每分鐘，堝轉(zhuǎn)設(shè)為2圈每分鐘，然后將籽晶降至硅液液面處進(jìn)行引晶；引晶的總長(zhǎng)度為150～160mm，引晶時(shí)平均拉速控制在3～6mm/min，初期拉速控制在1～3mm/min，引晶達(dá)30mm后將拉速控制在3～6mm/min；

(5)放肩：引晶完成后，將拉速降至0.7mm/min，加熱功率降低5千瓦，放肩時(shí)間3～4小時(shí)；

(6)轉(zhuǎn)肩：當(dāng)硅棒直徑距等徑直徑還有5～10mm時(shí)，將拉速提至2.0mm/min，進(jìn)行轉(zhuǎn)肩；

(7)等徑生長(zhǎng)；當(dāng)硅棒直徑達(dá)到等徑直徑時(shí)，將拉速降至等徑自動(dòng)初始拉速，等徑自動(dòng)初始拉速設(shè)為1.15mm/min，設(shè)定堝升速度，然后投入等徑自動(dòng)程序進(jìn)行等徑生長(zhǎng)；

(8)收尾：等徑生長(zhǎng)完成后，退出等徑自動(dòng)程序，停止堝升，將拉速提至1.0mm/min，投入收尾自動(dòng)程序，當(dāng)長(zhǎng)度達(dá)到直徑值時(shí)提斷停爐。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能級(jí)直拉單晶硅的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述步驟(4)中的引晶總長(zhǎng)度為160毫米。