[發明專利]基于雙鈮酸鋰晶體的非接觸式過電壓光電傳感器

在審

• 申請號: 201510811815.2
• 申請日: 2015-11-20
• 公開（公告）號: CN105425020A
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發明（設計）人: 楊慶;劉通;司馬文霞;韓睿;孫尚鵬;袁濤;何彥霄;蘇培宇
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: G01R19/165
• 分類號: G01R19/165
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 武君

1.基于雙鈮酸鋰晶體的非接觸式過電壓光電傳感器，其特征在于：包括非接觸傳感單元和雙鈮酸鋰晶體光電傳感單元；

所述非接觸傳感單元包括金屬感應板和低壓臂模塊，所述金屬感應板用于設置在架空輸電線路下，低壓臂模塊設置于金屬感應板與地之間，低壓臂模塊包括電容C₂，所述電容C₂的一端與金屬感應板電連接，另一端接地，電容C₂與金屬感應板之間的電壓信號輸出端與雙鈮酸鋰晶體光電傳感單元的信號輸入端電連接。

2.如權利要求1所述的基于雙鈮酸鋰晶體的非接觸式過電壓傳感器，其特征在于：所述基于雙鈮酸鋰晶體的非接觸式過電壓傳感器還包括金屬屏蔽外殼，金屬感應板通過絕緣螺釘和絕緣墊片固定于金屬屏蔽外殼上方，金屬屏蔽外殼接地，低壓臂模塊和雙鈮酸鋰晶體光電傳感單元設置于金屬屏蔽外殼內。

3.如權利要求1-2中任一項所述的基于雙鈮酸鋰晶體的非接觸式過電壓光電傳感器，其特征在于：所述雙鈮酸鋰晶體光電傳感單元的光路上依次包括光纖準直器、光學起偏器、1/4波片、LiNbO₃晶體I、π/2旋光片、LiNbO₃晶體II、光學檢偏器、光纖準直器；

LiNbO₃晶體I與LiNbO₃晶體II的上下表面均鍍有金屬電極，所述LiNbO₃晶體II擺放位置與LiNbO₃晶體I的X軸相同Z軸相反；

所述LiNbO₃晶體I及LiNbO₃晶體II的金屬電極方位相同一側與低壓臂模塊的電容C₂與金屬感應板之間的電壓信號輸出端電連接，兩LiNbO₃晶體另一側金屬電極接地。