[發明專利]用于窄邊框電子裝置之防靜電裝置

有效

• 申請號: 201510811119.1
• 申請日: 2015-11-19
• 公開（公告）號: CN105472924B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 林仲宏;江英杰;林子祥;黃彥衡
• 申請（專利權）人: 業成光電（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號: H05K5/02
• 分類號: H05K5/02
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

本發明公開了一種用于窄邊框電子裝置之防靜電裝置，包括一印刷電路板、至少一雷射路徑以及復數保護環路徑(Guard?ring)。該等雷射路徑是各自獨立與該印刷電路板電性連接，且該等雷射路徑之間具有間距且不接觸。該等保護環路徑是各自獨立與該印刷電路板電性連接，且該等保護環路徑之間不接觸并具有一間距。藉由上述之結構，本發明不但可解決薄邊框智能型手機或平版之ESD(靜電放電)問題，并將靜電放電或過高及過低的阻抗減到最小，保護內部電路不受損或避免造成閉鎖現象，進而減少智能型手機或平版邊框面積，更可直接使用在雷射蝕刻技術(Laser Etching Process)或光蝕刻技術(Photo?lithography)。

技術領域

本發明為一種用于窄邊框電子裝置之防靜電裝置，特別是一種藉由設置復數保護環路徑，以解決薄邊框智能型手機或平版之靜電放電問題，并將靜電放電或過高及過低的阻抗減到最小，保護內部電路不受損或避免造成閉鎖現象的用于窄邊框電子裝置之防靜電裝置。

背景技術

靜電放電(electrostatic discharge,ESD)裝置是被用來保護半導體芯片上之內部電路。

請參考圖1所示，現有用于智能型手機或平版之防靜電裝置(7)，包括至少一雷射路徑(70)以及一保護環路徑(71)。

該等雷射路徑(70)之間具有間距且不接觸，該保護環路徑(71)與該等雷射路徑(70)之間不接觸并具有間距。

臺灣專利公告第449903號，揭露一種環繞于一區域外圍之深N型井，其中所述區域包含有一靜電放電(ESD)之裝置或電路，而該靜電放電裝置或電路外圍是先環繞有一P+護環，且其乃連接于芯片之墊片上。接著，于所述P+護環外圍環繞一深N型井，用以阻擋過多的電流從靜電放電裝置或過大的電壓到達內部電路。所述深N型井由一位于深N型井上，且有一N+區擴散入一N型井所組成，該深N型井之高度介于4至6微米(μm)，以便提供一可吸收從靜電放電裝置或過大電壓所產生之大電流的能力。

臺灣專利公告第I259310號，揭露一種具靜電放電防護之液晶顯示面板，為在靠近面板外緣，具有一條短路式內部防護電路環，以及一條短路式外部防護電路環。其中，內部防護電路環為環繞顯示區域之外圍，而外部防護電路環則是環繞于內部防護電路環之外圍。外部防護電路環是同時與顯示區域，以及內部防護電路環相連通，而內部防護電路環則是藉由外部防護電路環，以與顯示區域電性相連通。內部防護電路環更可于面板磨邊制程后，轉變成為一修補線路。

臺灣專利公告第I271851號，揭露一種新的靜電放電總線指環結構，其中的指環包含了復數個金屬層，金屬層和金屬層之間可由導電插塞(conductive plug)電性連接，藉著布局(layout)可以用氧化區將指環分隔出互相不電性連接的兩個指環區域，其中一個指環區域是Vss靜電放電總線，另一個指環區域是Vdd靜電放電總線。

臺灣專利公告第I422007號，揭露一種靜電放電容忍裝置，包括一半導體主體，具有一第一導電類型，以及一接觸墊。一環繞井具有一第二導電類型，且布局為一環而環繞于該半導體主體中的一作為靜電放電電路之區域。此環繞井是相對深的，且除了定義一作為靜電放電電路之區域外，還提供一二極體的一第一端點形成于半導體主體中。于該環繞井所環繞的一區域內，一二極體與該接觸墊耦接，及一晶體管與一參考電壓耦接，此兩者是串聯且于該半導體主體中形成一寄生裝置。

美國專利公告第5，438，005號，揭露一種包含有深收集護環(deep collectorguard ring)之互補式金氧半導體(CMOS)元件，其是可消弭互補式金氧半導體元件的閉鎖(latch up)現象。

然而上述的保護環路徑皆需要較多空間設置，若將上述的防靜電裝置應用于智能型手機或平版，將增加智能型手機或平版邊框面積，因此無法應用于薄邊框智能型手機或平版。