[發明專利]自對準過孔流程

在審

• 申請號: 201510769864.4
• 申請日: 2015-11-12
• 公開（公告）號: CN105609465A
• 公開（公告）日: 2016-05-25
• 發明（設計）人: G·布謝;A·C·魏;S·拉格休恩薩桑
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種方法，包括：

形成第一介電層，該第一介電層具有至少一個導電特征嵌入其中；

形成嵌入設于該第一介電層上方的第二介電層中的多條第一導 線，其中，該多條第一導線中的一條第一導線接觸該導電特征；

利用第一蝕刻掩膜蝕刻該第一導線，以在該第一導線中定義導電 過孔部分以及凹入線部；以及

形成嵌入設于該第二介電層上方的第三介電層中的多條第二導 線，其中，該多條第二導線中的一條第二導線接觸該導電過孔部分， 且該第三介電層直接接觸該第二介電層。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述利用該第一蝕刻掩膜蝕 刻該第一導線還包括：

在該第二介電層上方形成覆蓋層；

在設于該第一導線上方的該覆蓋層的部分上方形成第二蝕刻掩 膜；

蝕刻該覆蓋層以移除未被該第二蝕刻掩膜覆蓋的該覆蓋層的部 分，從而基于該覆蓋層的剩余部分定義位于該第二蝕刻掩膜下方的該 第一蝕刻掩膜；以及

在蝕刻該第一導線以后移除該第二蝕刻掩膜。

3.如權利要求1所述的方法，其中，該第一導電過孔部分具有與 該第一導線的寬度對應的第一橫截面尺寸以及與該第二導線的寬度對 應的第二橫截面尺寸。

4.如權利要求1所述的方法，其中，所述形成該多條第一導線還 包括：

在該第一介電層上方形成多條犧牲線；

在該多條犧牲線上方形成該第二介電層，其中，在成對的相鄰犧 牲線之間的該第二介電層中設置氣隙；

平坦化該第二介電層，以暴露該多條犧牲線的頂部表面；以及

使用導電材料替代該多條犧牲線，以定義該多條導線。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述形成該多條第二導線包 括：

在該第二介電層上方形成多條犧牲線；

利用該多條犧牲線作為蝕刻掩膜蝕刻該第二介電層，以移除暴露 于相鄰犧牲線之間的該第二介電層的部分；

在該多條犧牲線上方形成該第三介電層，其中，在成對的相鄰犧 牲線之間的該第三介電層中設置氣隙；

平坦化該第三介電層，以暴露該多條犧牲線的頂部表面；以及

使用導電材料替代該多條犧牲線。

6.如權利要求5所述的方法，其中，所述蝕刻該第一導線與所述 蝕刻該第二介電層同時執行。

7.如權利要求5所述的方法，其中，所述蝕刻該第一導線發生于 所述蝕刻該第二介電層之前。

8.一種方法，包括：

形成第一介電層，該第一介電層具有至少一個導電特征嵌入其中；

形成嵌入設于該第一介電層上方的第二介電層中的第一導線，該 第一導線接觸該導電特征；

在該第二介電層上方形成覆蓋層；

在設于該第一導線上方的該覆蓋層的部分上方形成第一掩膜；

蝕刻該覆蓋層以移除未被該第一掩膜覆蓋的該覆蓋層的部分，從 而基于該覆蓋層的剩余部分定義位于該第一掩膜下方的第二掩膜；

利用該第二掩膜作為蝕刻掩膜蝕刻該第一導線，以在該第一導線 中定義導電過孔部分以及凹入線部；以及

形成嵌入設于該第二介電層上方的第三介電層中的第二導線，其 中，該多條導線中的第二導線設于該導電過孔部分上方。

9.如權利要求8所述的方法，還包括在形成該第二導線之前移除 該第二掩膜。

10.如權利要求8所述的方法，其中，所述形成該第二導線還包括：

在該第二介電層上方形成接觸該第一導電過孔部分的第一犧牲 線，其中，該第一犧牲線具有小于該第一導電過孔部分的第一橫截面 尺寸的寬度并暴露該第一導電過孔部分的部分；以及

利用該第一犧牲線作為蝕刻掩膜蝕刻該第一導電過孔部分的該暴 露部分。