[發(fā)明專利]太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510768850.0
• 申請日: 2015-11-12
• 公開（公告）號: CN105261659A
• 公開（公告）日: 2016-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊美佳;畢京鋒;李森林;劉冠洲;李明陽;熊偉平;陳文浚;吳超瑜;王篤祥
• 申請（專利權(quán)）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.太陽能電池，自下而上依次包括：基板、鍵合金屬層、歐姆接觸電極層、應(yīng)力阻隔層、太陽能電池半導(dǎo)體層和歐姆電極，其特征在于：所述應(yīng)力阻隔層設(shè)置在所述太陽能電池半導(dǎo)體層與歐姆接觸電極層之間，防止因歐姆接觸電極層及鍵合金屬層與半導(dǎo)體層之間熱膨脹系數(shù)的差異產(chǎn)生的熱應(yīng)力使半導(dǎo)體層的晶體質(zhì)量變差。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述應(yīng)力阻隔層的熱膨脹系數(shù)與所述太陽能電池半導(dǎo)體層熱膨脹系數(shù)相近或者略小。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于：所述應(yīng)力阻隔層由熱膨脹系數(shù)與太陽能電池半導(dǎo)體層熱膨脹系數(shù)相近的金屬薄膜材料構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于：所述應(yīng)力阻隔層由熱膨脹系數(shù)比太陽能電池半導(dǎo)體材料熱膨脹系數(shù)略小的介質(zhì)薄膜材料構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于：所述應(yīng)力阻隔層被配置成為具有多個孔洞區(qū)域的薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池，其特征在于：所述應(yīng)力阻隔層的孔洞區(qū)域所占整個應(yīng)力阻隔層面積的比例依所選應(yīng)力阻隔層材料和太陽能電池半導(dǎo)體材料兩者的熱膨脹系數(shù)比例而定。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池，其特征在于：所述歐姆接觸電極層與所述太陽能電池半導(dǎo)體層的接觸界面是不連續(xù)的，所述歐姆接觸電極層材料部分填充到所述應(yīng)力阻隔層的孔洞區(qū)域之中。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其特征在于：設(shè)定所述太陽能電池半導(dǎo)體層的熱膨脹系數(shù)為T₁，所述應(yīng)力阻隔層的熱膨脹系數(shù)為T₂，所述歐姆接觸電極層的熱膨脹系數(shù)為T₃，所述應(yīng)力阻隔層的孔洞所占面積比例為X，則滿足：T₃*X+T₂(1-X)=T₁。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于：所述太陽能電池半導(dǎo)體層為倒裝多結(jié)電池結(jié)構(gòu)。

10.太陽能電池的制備方法，包括下面步驟：在一基板上形成鍵合金屬層、歐姆接觸電極層，在該歐姆接觸電極層上形成太陽能電池半導(dǎo)體層，在該太陽能電池半導(dǎo)體層的表面上制作歐姆電極，其特征在于：還包括在所述太陽能電池半導(dǎo)體層與歐姆接觸電極層之間設(shè)置應(yīng)力阻隔層，防止因歐姆接觸電極層及鍵合金屬層與半導(dǎo)體層之間熱膨脹系數(shù)的差異產(chǎn)生的熱應(yīng)力使半導(dǎo)體層的晶體質(zhì)量變差。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：采用光刻與蒸鍍相結(jié)合或者PECVD與光刻相結(jié)合的方法在所述太陽能電池半導(dǎo)體層上制備具有多個孔洞的薄膜材料，形成所述應(yīng)力阻隔層。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述應(yīng)力阻隔層選用熱膨脹系數(shù)與太陽能電池半導(dǎo)體層熱膨脹系數(shù)相近或者略小的材料。