[發明專利]一種框架、包含該框架的二極管模塊及二極管模塊的加工工藝

在審

• 申請號: 201510767894.1
• 申請日: 2015-11-11
• 公開（公告）號: CN105280585A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 陳曉華;王毅
• 申請（專利權）人: 揚州揚杰電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L25/07;H01L23/495;H01L21/50
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 周全

技術領域

本發明涉及光伏設備領域，尤其涉及其中針對二極管模塊及其內部結構、加工工藝提出的改進。

背景技術

隨著光伏二極管的大力發展，接線盒的種類也變得越來越多，再加上成本的限制，使得人們對二極管的性能要求也越來越嚴格。傳統工藝中，需在接線盒中進行銅片的安裝以及二極管的安裝、焊接等工作，帶來了工序較多、操作難度大且廢品率較高等缺陷，成為了本領域技術人員亟待解決的技術問題。

對此，本申請人曾于2013年6月19日申請了一份名為“新型光伏二極管集成模塊”、申請號為“201320354641.8”的實用新型專利，該案中通過4個銅底板來完成3個芯片的串接，并通過與4個銅底板連為一體的4個pin腳完成與外部設備的連接。

然而，人們在實際使用時發現由于3個芯片依次串接，因此，如圖4所示，4個銅底板中實際僅3個與芯片N極相連的銅底板及其對應的pin腳溫度較高，剩余的1個閑置(溫度相對較低)；從而帶來了4個pin腳無法均勻散熱，甚至局部溫度過高等問題，嚴重影響了二極管芯片的使用穩定性、使用效果以及使用壽命。

發明內容

本發明針對以上問題，提出了一種結構精巧、使用效果好且使用壽命長，使用時可有效避免局部過熱、散熱不均勻等問題，并在結構上具有極佳的穩定性的框架、包含該框架的二極管模塊及二極管模塊的加工工藝。

本發明的技術方案為：所述框架包括n個依次相鄰的本體，相鄰所述本體之間留有間隙，通過n個本體串接n-1個芯片，所述芯片的正極和負極分別連接在相鄰的兩本體上，首位所述本體與芯片的正極連接，末位所述本體與芯片的負極連接，末位本體的中部開設有凹槽，使得倒數第二位本體伸入凹槽中、且末位芯片的正極位于凹槽內。

每一所述本體的一側均固定連接有引腳、且其中兩本體的一側固定連接有匯流帶焊接腳，所述本體與匯流帶焊接腳之間設有段差面。

所述本體和引腳之間設有若干防水槽一，所述本體和匯流帶焊接腳之間設有若干防水槽二。

所述末位本體背向凹槽的一側端面上設有與末位本體連為一體翻邊。

所述翻邊與末位本體相垂直。

所述框架包括四個依次相鄰的本體，四個所述本體依次分為本體一、本體二、本體三和本體四，所述本體一上設有一正極連接點，所述本體二上設有一負極連接點和一正極連接點，所述本體三上設有一負極連接點和一正極連接點，所述本體四上設有負極連接點，使得三個芯片通過跳線依次串接在四片本體之間，所述本體四中部開設有凹槽，所述本體三伸入凹槽中、且本體三上的正極連接點位于凹槽內。

所述二極管模塊包括框架、n-1個芯片、n-1根跳線和封裝體，所述框架包括n個本體；

n-1個所述芯片的正極分別固定連接在首位本體至倒數第二位本體上、且n-1個所述芯片的負極分別與n-1根跳線的一端固定連接，n-1跟所述跳線遠離芯片的一端分別固定連接在正數第二位本體至末位本體上；

n個所述本體的中部均開設有過膠孔，所述封裝體包覆在n個本體外、且引腳和匯流帶焊接腳均伸出至封裝體外。

所述跳線分為主跳線和副跳線，所述副跳線呈弧形、且副跳線的兩端均固定連接在芯片的負極上，所述主跳線呈弧形，所述主跳線的一端與副跳線的一端連為一體、且固定連接與芯片的負極上，所述主跳線的另一端則固定連接在與該芯片相鄰的一本體上。

所述主跳線和副跳線均由鋁制成。

按以下步驟進行加工：

1)、原材料處理：取片狀的銅片，并將其加工成長條狀的銅帶；

2)、初步沖孔：通過若干沖孔模先逐步完成各引腳、匯流帶焊接腳的輪廓沖制，再完成相鄰框架之間空隙的沖制；此時同一框架中的n個本體仍連為一體，相鄰框架之間通過頂梁仍連為一體，同一框架中的兩匯流帶焊接腳通過底梁仍連為一體，相鄰框架之間的兩匯流帶焊接腳通過連接塊仍連為一體；

3)、加工卸力條：將塊狀的連接塊沖制成兩相對且對稱設置的弧形的卸力條；

4)、翻邊：通過翻邊模同時完成框架中末位本體一側的翻邊，以及匯流帶焊接腳與本體之間的段差面的加工；

5)、精加工：逐步完成同一框架中相鄰本體之間的間隙的沖制，此時頂梁、底梁和卸力條仍未切除；

6)、加工框架總成：取至少兩個框架作為框架總成，切斷相鄰框架總成之間的頂梁，并切除相鄰框架總成之間的卸力條；

7)、焊接：先將芯片的正極焊接在與其對應的本體上，再將跳線的兩端分別焊接在本體和芯片的負極上；