[發(fā)明專利]一種可調(diào)的分布式放大器電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510738528.3 | 申請日： | 2015-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN105356855A | 公開（公告）日： | 2016-02-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張瑛 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京郵電大學 |
| 主分類號： | H03F1/32 | 分類號： | H03F1/32;H03G3/20 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 汪旭東 |
| 地址： | 210003 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 可調(diào) 分布式 放大器 電路 | ||
1.一種可調(diào)的分布式放大器電路，包括若干個增益單元和連接在每個所述增益單元輸入端的輸入片上電感、連接在每個所述增益單元輸出端的輸出片上電感，其特征在于：至少在一組相鄰的兩個增益單元之間的輸入端串聯(lián)兩個NMOS晶體管，所述NMOS晶體管與所述輸入片上電感構(gòu)成帶通匹配網(wǎng)絡，兩個所述NMOS晶體管各自的源極和漏極連在一起，兩個所述NMOS晶體管之間通過第一偏置電阻接至偏置電壓；每個增益單元的輸入端接有第二偏置電阻，從所述第二偏置電阻的另一端施加第二偏置電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分布式放大器電路，其特征在于：兩個所述NMOS晶體管分別連在所述輸入片上電感的兩端，且柵極與所述片上電感相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分布式放大器電路，其特征在于：兩個所述NMOS晶體管分別連在所述輸入片上電感的兩端，且源極和漏極與所述片上電感相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分布式放大器電路，其特征在于：兩個所述NMOS晶體管設在所述片上電感的同一側(cè)，且柵極直接相連。
5.權(quán)利要求1所述的分布式放大器電路，其特征在于：兩個所述NMOS晶體管設在所述片上電感的同一側(cè)，且源極和漏極直接相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分布式放大器電路，其特征在于：所述增益單元為一NMOS管，其柵極為輸入端，漏極為輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分布式放大器電路，其特征在于：所述增益單元由兩個連接的NMOS管組成，第一NMOS管的源極與第二NMOS管的漏極連接，第二NMOS管的柵極為輸入端，第一NMOS管的漏極為輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分布式放大器電路，其特征在于：所述增益單元由兩個NMOS管和一個電感組成，第一NMOS管的源極與所述電感一端連接，所述電感的另一端連接第二NMOS管的漏極，第二NMOS管的柵極為輸入端，第一NMOS管的漏極為輸出端。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分布式放大器電路，其特征在于：在第一個輸入片上電感之前和最后一個輸入片上電感之后以及在第一個輸入片上電感之前和最后一個輸入片上電感之后分別串聯(lián)有一個耦合電容。
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