[發明專利]一種刻蝕裝置及晶圓片單面刻蝕方法

有效

• 申請號: 201510737109.8
• 申請日: 2015-11-03
• 公開（公告）號: CN105225992B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 王東東;王政英;鄒冰艷;劉芹;唐革;郭潤慶;劉銳鳴;高軍;劉應;姚震洋
• 申請（專利權）人: 株洲南車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/306
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本申請公開了一種刻蝕裝置及晶圓片單面刻蝕方法，其中，所述刻蝕裝置的底座上用于放置多個所述夾片環，相鄰夾片環之間用于放置至少兩個晶圓片，所述晶圓片的待刻蝕面朝向與其相鄰的所述夾片環，當利用所述夾緊裝置夾緊放置在所述底座上的多個夾片環和多個晶圓片后可以通過所述夾片環的進液槽注入腐蝕液體對所述晶圓片進行刻蝕。由于至少兩個所述晶圓片緊貼，且僅有所述晶圓片的待刻蝕面朝向與其相鄰的所述夾片環，因此在所述腐蝕液體通過所述夾片環的進液槽注入后，所述腐蝕液體僅能夠接觸到所述晶圓片的待刻蝕面，從而達到了對所述晶圓片單面刻蝕的目的。

技術領域

本發明屬于半導體器件領域，更具體地說，涉及一種刻蝕裝置及晶圓片單面刻蝕方法。

背景技術

晶圓片是制造半導體芯片的基本材料，在半導體芯片的制造過程中，需要對所述晶圓片進行單面刻蝕，而濕法刻蝕以其操作簡便、對設備要求低、易于實現大批量生產以及對所述晶圓片損傷少的優點成為主流的單面刻蝕方法。現有技術中，在進行所述晶圓片的單面刻蝕之前，需要在其不需要進行刻蝕的一面涂覆或生長保護層，然后將所述具有保護層的晶圓片浸入腐蝕液體中對其待刻蝕面進行刻蝕，最后取出該晶圓片，去除所述保護層并進行清洗，完成所述晶圓片的單面刻蝕。

但是上述晶圓片單面刻蝕方法的缺點是需要增加在所述晶圓片表面涂覆或生長保護層的工序，降低了所述半導體芯片的生產效率，而且所述保護層在所述晶圓片浸入所述腐蝕液體時存在發生脫落或剝離的風險，而所述保護層一旦脫落或剝離就會使所述晶圓片報廢，從而增加所述半導體芯片的生產成本。

發明內容

本發明實施例提供了一種刻蝕裝置及晶圓片單面刻蝕方法，所述刻蝕方法不需要在所述晶圓片表面涂覆或生長保護層即可完成對所述晶圓片的單面刻蝕。

一種刻蝕裝置，應用于晶圓片濕法刻蝕，包括：

底座；

設置于所述底座上的多個夾片環，相鄰夾片環之間用于放置至少兩個晶圓片，所述晶圓片的待刻蝕面朝向與其相鄰的所述夾片環，且所述夾片環呈圓環形，其側壁包括至少一個進液槽；

設置于所述底座上的夾緊裝置，所述夾緊裝置用于夾緊放置在所述底座上的多個夾片環和多個晶圓片。

優選的，所述刻蝕裝置還包括：位于所述夾片環外側面的至少一個定位塊，設置于所述底座內表面的定位臺；

所述定位塊的側面與所述定位臺的側面接觸，用于使所述夾片環穩定放置在所述定位臺上。

優選的，所述定位臺的內表面為圓弧面，其半徑等于所述夾片環的半徑。

優選的，所述定位塊的數量大于或等于兩個，所述定位臺的內表面的弧長小于或等于所述夾片環任意相鄰兩個定位塊之間的弧長。

優選的，所述底座內表面為圓弧面，其半徑等于所述夾片環半徑與所述定位臺沿所述夾片環徑向方向的長度之和。

優選的，所述定位塊沿所述夾片環徑向方向的長度大于等于5mm。

優選的，所述夾緊裝置包括螺紋桿、夾持板、第一固定板和第二固定板；其中，

所述第一固定板和第二固定板相對設置于所述底座兩端，所述第一固定板設置有螺紋孔；

所述夾持板設置于所述第一固定板和第二固定板之間，所述夾持板與所述第二固定板之間用于放置所述夾片環和所述晶圓片；

所述螺紋桿通過所述螺紋孔與所述第一固定板螺紋連接；

所述夾持板與所述螺紋桿抵接，當所述螺紋桿向所述第二固定板方向旋進時推動所述夾持板夾緊所述夾片環和所述晶圓片。

優選的，所述夾片環的直徑的取值范圍為30mm-200mm，包括端點值。