[發明專利]一種Ag/Co(OH)2納米陣列薄膜超級電容器電極材料及其制備方法在審
| 申請號： | 201510736501.0 | 申請日： | 2015-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN105405675A | 公開（公告）日： | 2016-03-16 |
| 發明（設計）人： | 吳明在;丁麗君;劉濤 | 申請（專利權）人： | 安徽大學 |
| 主分類號： | H01G11/30 | 分類號： | H01G11/30;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ag co oh sub 納米 陣列 薄膜 超級 電容器 電極 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種Ag/Co(OH)2納米陣列薄膜超級電容器電極材料，其特征在于，制備的Ag/Co(OH)2成多孔狀，粒子分布均勻。
2.一種根據權利要求1所述的Ag/Co(OH)2納米陣列薄膜超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)多孔α-Co(OH)2納米陣列薄膜的制備
稱取一定量的二價鈷鹽加入到去離子水中，磁力攪拌10～20分鐘；稱取一定量的六次甲基四胺加入到去離子水中，磁力攪拌10～20分鐘；將上述兩種溶液混合后，在磁力攪拌10～30分鐘；將上述混合后的溶液加入到反應釜中，同時放進一片2*4cm的泡沫鎳，在90℃加熱3～6小時，待其降溫到室溫時，取出樣品，將樣品在溫度為60℃的條件下烘干，即得到多孔α-Co(OH)2納米陣列薄膜；
(2)Ag/Co(OH)2納米復合材料的制備
配置一定量的硝酸銀和NaHB溶液，將生長上α-Co(OH)2的泡沫鎳浸漬到一定量的的硝酸銀中，浸漬一定時間；再浸漬到NaHB中一定時間，重復上述步驟2～5次；
(3)Ag/Co(OH)2納米陣列薄膜超級電容器電極材料的制備
將生長有Ag/Co(OH)2納米復合材料的泡沫鎳壓片，真空干燥數小時，制成超級電容器電極材料。
3.根據權利要求2所述的Ag/Co(OH)2納米陣列薄膜超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)中的二價鈷鹽為Co(NO3)2·6H2O。
4.根據權利要求3所述的Ag/Co(OH)2納米陣列薄膜超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)多孔α-Co(OH)2納米陣列薄膜的制備
稱取1～5mmolCo(NO3)2·6H2O加入到20～30ml去離子水中，磁力攪拌10～20分鐘；稱取5～10mmol六次甲基四胺加入到20～30ml去離子水中，磁力攪拌10～20分鐘；將上述兩種溶液混合后，再磁力攪拌10～30分鐘；將上述混合后的溶液加入到反應釜中，同時放進一片2*4cm的泡沫鎳，在90℃加熱3～6小時，待其降溫到室溫時，取出樣品，然后將樣品在溫度約為60℃的條件下烘干，即得到多孔α-Co(OH)2納米陣列薄膜；
(2)Ag/Co(OH)2納米復合材料的制備
配置25～35mL4mmol/L的硝酸銀溶液和25～35mL2mmol/L的NaHB溶液，在將生長上Co(OH)2的泡沫鎳浸漬到硝酸銀中溶液，浸漬時間為0.5～2分鐘；再浸漬到NaHB溶液中0.5～2分鐘；重復上述步驟2～3次，即得到Ag修飾的多孔α-Co(OH)2納米陣列薄膜，即Ag/Co(OH)2納米復合材料；
(3)Ag/Co(OH)2納米陣列薄膜超級電容器電極材料的制備
將生長有Ag/Co(OH)2納米復合材料的泡沫鎳壓片，盛與培養皿中，放入真空干燥箱中干燥10小時，即得到超級電容器電極材料。
5.根據權利要求4所述的Ag/Co(OH)2納米陣列薄膜超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于：步驟(1)中多孔α-Co(OH)2納米陣列薄膜中制備方法如下：稱取5mmolCo(NO3)2·6H2O加入到20ml去離子水中，磁力攪拌20分鐘；稱取10mmol六次甲基四胺加入到25ml去離子水中，磁力攪拌20分鐘；將上述兩種溶液混合后，再磁力攪拌30分鐘；將上述混合后的溶液加入到反應釜中，同時放進一片2*4cm的泡沫鎳，在90℃加熱5小時，待其降溫到室溫時，取出樣品，然后將樣品在溫度為60℃的條件下烘干，即得到多孔α-Co(OH)2納米陣列薄膜。
6.根據權利要求4所述的Ag/Co(OH)2納米陣列薄膜超級電容器電極材料的制備方法，其特征在于：步驟(2)中Ag/Co(OH)2納米復合材料的制備方法如下：配置30mL4mmol/L的硝酸銀溶液和30mL2mmol/L的NaHB溶液，在將生長上Co(OH)2的泡沫鎳浸漬到硝酸銀中溶液，浸漬時間為1分鐘；再浸漬到NaHB溶液中1分鐘；重復上述步驟2～3次，即得到Ag修飾的多孔α-Co(OH)2納米陣列薄膜，即Ag/Co(OH)2納米復合材料。
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