[發(fā)明專利]一種提升取光效率的GaN-LED芯片

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510717801.4
• 申請(qǐng)日: 2015-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105206729A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳亮;李俊賢;魏振東;劉英策;李小平;黃新茂;陳凱軒;張永;林志偉;姜偉;卓祥景;方天足
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/10
• 分類號(hào): H01L33/10;H01L33/20
• 代理公司: 揚(yáng)州市錦江專利事務(wù)所 32106
• 代理人: 江平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED芯片的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

為了提升LED的取光效率，從業(yè)人員提出在芯片切割道上設(shè)置點(diǎn)陣排列的若干錐形臺(tái)的方式以增加測(cè)出光的反射。

現(xiàn)有切割道的方法是：GaN-LED外延片通過(guò)ICP刻蝕劃分GaN-LED芯片，并在相鄰的芯片之間形成切割道。由于現(xiàn)有生產(chǎn)切割道是直接將GaN-LED外延片上的部分P-GaN層、多量子阱層和N-GaN層進(jìn)行平面化切割，即切割道為平面結(jié)構(gòu)，并整體低于LED的有效發(fā)光層，如圖1所示，因此從LED有效發(fā)光層發(fā)出的側(cè)向光則沒(méi)有被有效利用從正向反射出，造成取光效率不能有效提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的是提出一種能克服以上現(xiàn)有技術(shù)方法缺陷的提升取光效率的GaN-LED芯片。

本發(fā)明包括設(shè)置在外延片上的芯片區(qū)域和切割道區(qū)域，其特征在于在所述切割道區(qū)域設(shè)置點(diǎn)陣排列的若干錐形臺(tái)，各錐形臺(tái)的底部連接在外延片的N-GaN層上，各錐形臺(tái)具有能夠?qū)⑼庋悠亩嗔孔于鍖影l(fā)出的側(cè)向光反射至芯片正面的側(cè)面。

本發(fā)明通過(guò)在LED芯片切割道設(shè)計(jì)的錐形臺(tái)，增加LED芯片側(cè)出光的反射渠道，以此來(lái)增加LED芯片取光效率，使正向光的出光量增加，從而提升LED芯片亮度。

本發(fā)明芯片區(qū)域的設(shè)計(jì)適用于現(xiàn)有的正裝、倒裝或垂直結(jié)構(gòu)等。

進(jìn)一步地，本發(fā)明各錐形臺(tái)由P-GaN層、多量子阱層和N-GaN層組成。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中具有切割道的GaN-LED芯片的斷面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明GaN-LED芯片的正面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為圖2中部分?jǐn)嗝娼Y(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖2、3所示，本發(fā)明是在處延片上制作若干芯片區(qū)域A和若干切割道區(qū)域B。處延片設(shè)有襯底1，在襯底1上依次生長(zhǎng)U-GaN層2、N-GaN層3、多量子阱層4和P-GaN層5。

在切割道區(qū)域B內(nèi)設(shè)置點(diǎn)陣排列的若干錐形臺(tái)C，各錐形臺(tái)C的底部連接在處延片的N-GaN層3上，各錐形臺(tái)C由P-GaN層、多量子阱層和N-GaN層組成。

各錐形臺(tái)C具有能夠?qū)⒍嗔孔于鍖?發(fā)出的側(cè)向光反射至芯片正面的側(cè)面。

芯片制作工藝流程與現(xiàn)有的傳統(tǒng)芯片制作工藝一致。唯一不同的是在切割道上放置圖形，此項(xiàng)技術(shù)并不增加工藝復(fù)雜程度。