[發明專利]一種高壓真空配電柜及其制作方法在審
| 申請號: | 201510716110.2 | 申請日: | 2015-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN105372317A | 公開(公告)日: | 2016-03-02 |
| 發明(設計)人: | 肖小玉 | 申請(專利權)人: | 肖小玉 |
| 主分類號: | G01N27/407 | 分類號: | G01N27/407 |
| 代理公司: | 北京高航知識產權代理有限公司 11530 | 代理人: | 趙永強 |
| 地址: | 315202 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高壓 真空 配電柜 及其 制作方法 | ||
1.一種高壓真空配電柜,其特征在于,在高壓真空配電柜的柜體外壁位置 設置固體電解質型氣體傳感器,固體電解質型氣體傳感器包括加熱板、布置在 加熱板上的釔穩定氧化鋯(YSZ)基板和布置在YSZ基板上的鉑(Pt)參考電極、 敏感電極A和敏感電極B,其中敏感電極A和敏感電極B分別布置在Pt參考電 極的兩側,敏感電極A的材質為氧化鎢納米顆粒摻雜納米氧化鎳粉,敏感電極 B的材質為納米SnO2粉。
2.根據權利要求1中所述的高壓真空配電柜,其特征在于,所述YSZ基板 為摻雜8mol%Y2O3,其物理大小為6mm*4mm*0.2mm,采用電化學方法腐蝕出兩個 1*2mm區域的納米多孔結構,該結構分別用來放置敏感電極A和敏感電極B;在 YSZ基板的納米多孔區域上制作直徑0.1~0.3mm的鉑金圓點,作為YSZ基板與電 極的連結;敏感電極A和敏感電極B的厚度均為0.5mm,敏感電極B中SnO2納 米粉的粒徑為15-22nm。
3.一種高壓真空配電柜的實現方法,其特征在于在高壓真空配電柜的柜體 外壁位置設置固體電解質型氣體傳感器,固體電解質型氣體傳感器包括多孔釔 穩定氧化鋯(YSZ)基板,和布置在YSZ基板上的鉑(Pt)參考電極、敏感電極 A和敏感電極B,其中敏感電極A和敏感電極B分別布置在Pt參考電極的兩側; 其中,
a.取YSZ基板先后用水和無水乙醇多次超聲清洗,烘干后待用;
b.取鉑漿,在清洗過后的YSZ基板的中間制作1*2mm大小的細條狀鉑漿帶, 在YSZ的多孔區域分別制作一個直徑0.1~0.3mm的鉑漿圓點,大批量生產時, 可以采用絲網印刷工藝;
c.取三段鉑絲分別粘在YSZ片子的剛涂好鉑漿的區域,然后將YSZ基板放 置在紅外燈下烘烤數小時;
d.取適量敏感電極材料A、B,分別放入瑪瑙研缽中充分研磨后加入少量去 離子水,調配成粘稠狀漿料A、B,分別將漿料A、B于基板多孔結構處涂上形 成傳感器的兩個敏感電極A、B,厚度為0.5mm;
e.將上步驟得到的基板放入馬弗爐高溫800℃燒結兩小時;
f.在“幾”形Pt加熱板印有Pt電極的一面均勻涂上一層無機膠,然后將 加熱板與上步驟中得到的基板粘在一起,放入馬弗爐中200℃燒結20分鐘,取 出,即得傳感器原型器件。
4.權利要求3所述的實現方法,其特征在于,
(1)多孔釔穩定氧化鋯(YSZ)制備:
采用雙槽電化學腐蝕法制備多孔結構YSZ;
a.取YSZ平板(8mol%Y2O3摻雜,6mm*4mm*0.2mm),先后用水和無水乙醇多 次超聲清洗,烘干;
b.配制預處理溶液:按照質量份數,1-1.8%茶皂素,2%蘋果酸,其余為純 凈水,然后將YSZ平板投入其中,完全浸沒,在50-58℃條件下處理20-28min, 隨后用微波處理2min,洗凈自然干燥備用;
所述微波處理的參數為:2450MHz、65W,輻照2-5s,間隔10min,一共照 射3-5次;
c.配制腐蝕溶液,取HF(體積份數40%)和去離子水按體積比1:5,適量 添加高錳酸鉀混合,放入雙電槽電化學裝置,腐蝕槽與夾具均為耐腐蝕的聚四 氟乙烯材料,電極為柱狀金屬Pt,夾具將腐蝕槽分為兩個互不連通區域,夾具 中央具有兩個1*2mm特定形狀的孔洞;
d.腐蝕過程在黑暗條件下進行,裝置所用電源為恒流源,施加腐蝕電流密 度為40mA/cm2,經過30min,在YSZ平板上形成兩個1*2mm區域的多孔結構, 制作完畢清洗后保存在無水乙醇中;
(2)敏感電極材料A制備:
a.合成氧化鎢納米顆粒:稱取1.5gNa2WO4溶于45mL去離子水中,在攪拌 情況下,滴加濃度為3mol/L的HCl溶液至鎢酸沉淀完全;然后離心分離,將沉 淀物放入小燒杯中,加入30mL去離子水,再加入75gKNO3,劇烈攪拌,形成漿 糊狀物,在180℃下水熱反應12h,自然冷卻至室溫;將反應物(沉淀)用去離 子水充分洗滌,再用乙醇洗滌,過濾,在80℃下脫水干燥,得到產物即氧化鎢 納米顆粒;
b.氧化鎢納米顆粒摻雜氧化鎳:取質量比為3:1的氧化鎢納米顆粒與納米 鎳粉放入攪拌器中,使其充分混合;然后將混合材料放入真空管式爐中,加熱 至300℃,保溫4h,使鎳粉充分氧化,最后自然降溫至室溫;
(3)敏感電極材料B制備:
a.首先將粒徑為15-22nm的SnO2納米粉在80℃真空干燥箱中干燥12小時;
b.稱取干燥的SnO2納米粉2.0g,然后向其中加入4.0ml氯鉑酸溶液,濃度 為10mmol/L,浸漬完全后將其超聲15min,使其混合均勻;
c.將混合物靜置6h,再放入真空干燥箱中在80℃干燥12h,干燥后將混合 物在500℃下燒結12h,自然降至室溫,即得敏感電極B。
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