[發明專利]濕法刻蝕型氧化物薄膜晶體管的制備方法及所制備的薄膜晶體管

在審

• 申請號: 201510705040.0
• 申請日: 2015-10-26
• 公開（公告）號: CN105321827A
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發明（設計）人: 蘭林鋒;肖鵬;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 趙蕊紅

1.一種濕法刻蝕型氧化物薄膜晶體管的制備方法，包括柵極、柵絕緣層、有源層及源漏電極的制備，其特征在于：在柵極絕緣層上制備有源層，對有源層采用濕法刻蝕圖形化后，對圖形化的有源層進行退火處理，然后再在退火處理后的有源層上直接制備源漏電極薄膜層，并對源漏電極薄膜層采用濕法刻蝕圖形化形成源漏電極。

2.根據權利要求1所述的濕法刻蝕型氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：

所述有源層為氧化物半導體薄膜；

作為有源層的氧化物半導體薄膜未進行退火處理時在刻蝕液中的刻蝕速率大于30nm/min，載流子濃度小于10¹⁸cm^–3；

作為有源層的氧化物半導體薄膜進行退火處理后，在刻蝕液中刻蝕速率小于2nm/min，載流子濃度小于10¹⁸cm^–3；

源漏電極在刻蝕液中的刻蝕速率大于60nm/min。

3.根據權利要求2所述的濕法刻蝕型氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：作為有源層的氧化物半導體薄膜具體是在200～300℃下退火處理25至40分鐘。

4.根據權利要求3所述的濕法刻蝕型氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：作為有源層的氧化物半導體薄膜具體是在200℃或者300℃下退火處理30分鐘，退火處理具體在空氣、氧氣、氮氣或者氬氣的氣氛中進行。

5.根據權利要求1至4任意一項所述的濕法刻蝕型氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述有源層含有鋯、鉿、鈦或錫中的至少一種。

6.根據權利要求5所述的濕法刻蝕型氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述有源層的厚度設置為10～100nm。

7.根據權利要求1至6任意一項所述的濕法刻蝕型氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：柵極、柵絕緣層也是采用濕法刻蝕圖形化。

8.根據權利要求7所述的濕法刻蝕型氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：有源層和源漏電極采用相同的刻蝕液刻蝕。

9.根據權利要求8所述的濕法刻蝕型氧化物薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述刻蝕液為5％濃度的硝酸、10％濃度的乙酸以及70％濃度的磷酸按照1：1：1的比例共混而成的溶液或者為鹽酸或者為硫酸。

10.一種氧化物薄膜晶體管，其特征在于，通過如權利要求1至9任意一項所述的制備方法制備而成。