[發(fā)明專利]一種提高HVPE法生長(zhǎng)氮化物均勻性的單晶爐腔體在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510675000.6 | 申請(qǐng)日： | 2015-10-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105154969A | 公開（公告）日： | 2015-12-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張嵩;陳建麗;齊成軍;王再恩;蘭飛飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所 |
| 主分類號(hào)： | C30B25/14 | 分類號(hào)： | C30B25/14;C30B29/38 |
| 代理公司： | 天津中環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 hvpe 生長(zhǎng) 氮化物 均勻 單晶爐腔體 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種提高HVPE法生長(zhǎng)氮化物均勻性的單晶爐腔體，包括鹽酸氣體管（1）、氨氣氣體管（2）、載氣管（3）和襯底基座（4），其特征在于：鹽酸氣體管（1）、氨氣氣體管（2）從腔體頂端不沿腔體中軸面但與腔體中軸線對(duì)稱、間距與襯底基座（4）半徑相同處插入腔體內(nèi)且其管出氣口處距襯底基座（4）距離為15-18mm，固定于腔體頂端面，一根載氣管（3）沿腔體中軸線插入腔體內(nèi)并固定于腔體頂端面，襯底基座（4）沿中軸線固定于腔體下端且可轉(zhuǎn)動(dòng)，轉(zhuǎn)動(dòng)速度為290-310轉(zhuǎn)/min。
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