[發(fā)明專利]一種LTPS陣列基板及其制作方法、顯示裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201510639246.8
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN105336683A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王堯
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種LTPS陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上依次形成遮光層、緩沖層以及半導(dǎo)體層；其中，所述半導(dǎo)體層包括間隔設(shè)置的第一多晶硅層和第二多晶硅層；

對所述第一多晶硅層進(jìn)行N+摻雜，對所述第二多晶硅層進(jìn)行P+摻雜；

在所述半導(dǎo)體層上依次形成第一絕緣層以及柵極圖形層；

對所述第一多晶硅層進(jìn)行N-摻雜；

在所述柵極圖形層上依次形成第二絕緣層以及源漏層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板上依次形成遮光層、緩沖層以及半導(dǎo)體層的步驟，具體包括：

在所述基板上形成間隔設(shè)置的第一遮光層和第二遮光層；

在所述第一遮光層和所述第二遮光層上沉積SiNx層；

在所述SiNx層上沉積SiOx層；

在所述SiOx層上形成半導(dǎo)體層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述SiOx層上形成半導(dǎo)體層的步驟，具體包括：

在所述SiOx層上沉積非晶硅層，并對所述非晶硅層進(jìn)行鐳射退火工藝，以形成間隔設(shè)置的第一多晶硅層和第二多晶硅層；

其中，所述第一多晶硅層和第二多晶硅層分別對應(yīng)所述第一遮光層和第二遮光層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述第一多晶硅層進(jìn)行N+摻雜，對所述第二多晶硅層進(jìn)行P+摻雜的步驟，具體包括：

在所述第一多晶硅層、所述第二多晶硅層以及所述緩沖層上覆蓋第一光阻；其中，所述第一光阻的透光區(qū)在垂直方向上對應(yīng)所述第一多晶硅層的兩個N+摻雜區(qū)；所述第一多晶硅層包括分別設(shè)置于兩側(cè)的兩個N+摻雜區(qū)、所述兩個兩個N+摻雜區(qū)內(nèi)側(cè)的兩個N-摻雜區(qū)以及所述兩個N-摻雜區(qū)之間的非摻雜區(qū)；

對所述第一多晶硅層的N+摻雜區(qū)進(jìn)行N+摻雜；

在所述第一多晶硅層、所述第二多晶硅層以及所述緩沖層上覆蓋第二光阻；其中，所述第二光阻的透光區(qū)在垂直方向上對應(yīng)所述第二多晶硅層的兩個P+摻雜區(qū)；所述第二多晶硅層包括分別設(shè)置于兩側(cè)的兩個P+摻雜區(qū)以及所述兩個P+摻雜區(qū)之間的非摻雜區(qū)；

對所述第二多晶硅層的P+摻雜區(qū)進(jìn)行P+摻雜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體層上依次形成第一絕緣層以及柵極圖形層的步驟，具體包括：

在所述半導(dǎo)體層上形成第一絕緣層；其中，所述第一絕緣層包括SiOx和SiNx；

在所述第一絕緣層上沉積柵極層，并對所述柵極層進(jìn)行蝕刻工藝以形成第一柵極和第二柵極；其中，所述第一柵極和第二柵極分別對應(yīng)所述第一多晶硅層和第二多晶硅層的非摻雜區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，對所述第一多晶硅層進(jìn)行N-摻雜的步驟，具體包括：

在所述第一絕緣層上覆蓋第三光阻；其中，所述第三光阻的透光區(qū)在垂直方向上對應(yīng)所述第一多晶硅層的兩個N-摻雜區(qū)；

對所述第一多晶硅層的N-摻雜區(qū)進(jìn)行N-摻雜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述柵極圖形層上依次形成第二絕緣層以及源漏層的步驟，具體包括：

在所述柵極圖形層上形成第二絕緣層；

形成貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第一通孔、第二通孔、第三通孔以及第四通孔；

在所述第二絕緣層上形成第一源極、第一漏極、第二源極以及第二漏極；其中，所述第一源極和第一漏極分別通過所述第一通孔和第二通孔連接所述第一多晶硅層的兩個N+摻雜連接，所述第二源極和第二漏極分別通過所述第三通孔和第四通孔連接所述第二多晶硅層的兩個P+摻雜連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述第一多晶硅層進(jìn)行N+摻雜，對所述第二多晶硅層進(jìn)行P+摻雜的步驟之前，還包括：

對所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層進(jìn)行P摻雜，以調(diào)整所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層的電學(xué)特性。