[發(fā)明專利]一種NiO:Cu/TiOx異質(zhì)pn結(jié)二極管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510635334.0
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN105118868A
• 公開（公告）日: 2015-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李彤;王鐵鋼;倪曉昌
• 申請（專利權(quán)）人: 天津職業(yè)技術(shù)師范大學(xué)
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L21/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種NiO:Cu/TiOx異質(zhì)pn結(jié)二極管，至少包括pn結(jié)和歐姆接觸電極，其特征在于：所述pn結(jié)是由p型NiO:Cu薄膜和n型TiOx薄膜而得到的異質(zhì)pn結(jié)。

2.權(quán)利要求1所述NiO:Cu/TiOx異質(zhì)pn結(jié)二極管的制備方法，其特征在于：用磁控濺射工藝在Si襯底上制備NiO:Cu薄膜和TiOx薄膜形成異質(zhì)pn結(jié)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于：本發(fā)明采用NiO:CuO陶瓷靶，磁控濺射工藝制備NiO:Cu薄膜，在此采用氧分壓O₂/(O₂+Ar）=0％-100％。

4.濺射前的腔體本底真空度優(yōu)于3x10^-4Pa，濺射氣壓為0.5-2Pa，濺射功率為100-200W。

5.鍍膜時(shí)間均為20-120min，襯底溫度從RT變化至600^oC，退火溫度從200^oC變化至700^oC。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于：本發(fā)明采用TiO₂陶瓷靶，磁控濺射工藝制備TiOx薄膜，在此采用氧分壓O₂/(O₂+Ar）=0％-100％。

7.濺射前的腔體本底真空度優(yōu)于3x10^-4Pa，濺射氣壓為0.5-2Pa，濺射功率為50-200W。

8.鍍膜時(shí)間均為20-120min，襯底溫度從RT變化至600^oC，退火溫度從200^oC變化至700^oC。

9.權(quán)利要求1或2或3或6所述NiO:Cu/TiOx異質(zhì)pn結(jié)二極管的制備方法，其特征在于：采用濺射法或熱蒸發(fā)法在pn結(jié)上制作電極；其中，NiO:Cu和TiOx表面沉積銀，鎳，鋁或金電極。