[發明專利]一種可轉移的Fe2O3/Au納米孔陣列薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201510623764.0 | 申請日： | 2015-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN105112913B | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發明（設計）人： | 趙建偉;秦麗溶;殷營營;楊瑜;何麗忠 | 申請（專利權）人： | 西南大學 |
| 主分類號： | C23C28/00 | 分類號： | C23C28/00;C23C14/34;C23C14/18;C25D3/20;C25D5/50;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 重慶華科專利事務所50123 | 代理人： | 康海燕,吳興偉 |
| 地址： | 400715*** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 轉移 fe sub au 納米 陣列 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種可轉移的Fe2O3/Au納米孔陣列薄膜，其特征在于：由Au納米孔陣列薄膜和覆于其上的Fe2O3納米孔陣列薄膜組成，兩層薄膜中的納米孔上下貫通，按規則的六角密排順序排列，所述孔的直徑均為10～50nm，孔間距為100～120nm，所述薄膜的總厚度為60～150nm。
2.權利要求1所述Fe2O3/Au納米孔陣列薄膜的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
步驟1，選取多孔氧化鋁模板，在模板的一個表面濺射Au膜，具體操作如下：把多孔氧化鋁模板置于磁控濺射或離子濺射中，所用靶材為金靶，在多孔氧化鋁模板的一個表面濺射上一層厚度為30～70nm具有納米孔洞的連續Au膜，作為電化學沉積時的工作電極，以及最終目標產物的基體層和導電層；
步驟2，把上述濺射Au膜的多孔氧化鋁模板放入電解槽內的鐵電解液中，其中有Au膜的一面朝向溶液，另一面密封，使其不與溶液接觸，再以石墨為對電極，于電流密度0.6～1.2mA/cm2下采用兩電極法電沉積5～15分鐘，得到金屬鐵的納米孔陣列薄膜；
步驟3，將生長有Fe/Au納米孔薄膜的氧化鋁模板置于馬弗爐內，設置溫度恒定為150～200℃，在空氣的氛圍下保持該溫度2～4小時后，自然冷卻至室溫，將Fe納米孔薄膜熱氧化為Fe2O3納米孔薄膜，最后利用除膜溶液去除氧化鋁模板后制得目標產物。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：步驟1中所選取的多孔氧化鋁模板孔徑為40～80nm，孔間距為100～120nm。
4.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于：步驟1中所述金靶的純度≥99.999％。
5.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于：步驟2中鐵電解液由160g/L的硫酸亞鐵、60g/的硫酸銨、3.5g/L的抗壞血酸、2ml/L的丙三醇和14.3g/L的硼酸混合而成，所述的濃度是混合后的最終濃度。
6.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于：步驟3中所述的除膜溶液為2mol/L的NaOH溶液。
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