[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201510618081.6 | 申請日: | 2015-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN105116642B | 公開(公告)日: | 2018-07-17 |
| 發明(設計)人: | 陳傳寶;馬俊才 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1333;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明公共電極 像素電極 陣列基板 子像素單元 顯示裝置 絕緣 存儲電容 開口率 正投影 制作 保證 | ||
1.一種陣列基板,包括子像素單元,其中,所述子像素單元包括:
第一透明公共電極;
像素電極,設置于所述第一透明公共電極上方并且與所述第一透明公共電極相絕緣,所述第一透明公共電極在所述像素電極所在面上的正投影與所述像素電極有重疊部分;以及
第二透明公共電極,設置于所述像素電極上方并且與所述像素電極相絕緣,
其中,所述陣列基板還包括公共電極線,所述第一透明公共電極與所述公共電極線在所述子像素單元內接觸;所述第一透明公共電極具有鏤空部,所述鏤空部在所述像素電極所在面上的正投影位于所述像素電極所在區域中。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,還包括平坦層,其設置于所述像素電極與所述第二透明公共電極之間。
3.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其中,所述第一透明公共電極的所述正投影位于所述像素電極所在區域內。
4.根據權利要求1或2所述的陣列基板,還包括柵線和數據線,其中,所述柵線和所述數據線彼此交叉以限定所述子像素單元,所述柵線和所述數據線中的至少之一在所述第一透明公共電極所在面上的正投影位于所述第一透明公共電極所在區域之外。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其中,所述第一透明公共電極與所述公共電極線之間具有接觸區域,所述第一透明公共電極在所述公共電極線所在面上的正投影與所述公共電極線之間具有重疊區域,所述接觸區域與所述重疊區域一致。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其中,
所述公共電極線與所述柵線同層設置,則所述陣列基板還包括覆蓋所述柵線的端部的導電結構,所述導電結構與所述第一透明公共電極同層設置;或者
所述公共電極線與所述數據線同層設置,則所述陣列基板還包括覆蓋所述數據線的端部的導電結構,所述導電結構與所述第一透明公共電極同層設置。
7.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,沿所述第一透明公共電極所在面方向,所述鏤空部的平面形狀為多邊形、圓形或橢圓形。
8.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其中,所述第一透明公共電極與所述公共電極線之間具有接觸區域,所述第一透明公共電極在所述公共電極線所在面上的正投影與所述公共電極線之間具有重疊區域,所述接觸區域與所述重疊區域一致。
9.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其中,所述子像素單元還包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括有源層,所述有源層與所述第一透明公共電極同層設置。
10.一種顯示裝置,包括根據權利要求1-9任一項所述的陣列基板。
11.一種陣列基板的制作方法,包括形成子像素單元,其中,所述形成子像素單元進一步包括:
形成第一透明公共電極;
在所述第一透明公共電極上形成像素電極,其中,所述像素電極與所述第一透明公共電極相絕緣,所述第一透明公共電極在所述像素電極所在面上的正投影與所述像素電極有重疊部分;以及
在所述像素電極上形成第二透明公共電極,所述第二透明公共電極與所述像素電極相絕緣,
其中,所述第一透明公共電極具有鏤空部,所述鏤空部在所述像素電極所在面上的正投影位于所述像素電極所在區域中。
12.根據權利要求11所述的制作方法,還包括:
在形成所述像素電極之后且在形成所述第二透明公共電極之前,在像素電極上形成平坦層。
13.根據權利要求11或12所述的制作方法,其中,
所述子像素單元包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括有源層;
形成所述第一透明公共電極包括:
形成透明導電薄膜;
對所述透明導電薄膜進行圖案化處理,以形成所述有源層以及所述第一透明公共電極。
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