[發(fā)明專利]磁控濺射微納米膜的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510615099.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-09-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105112874B | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏忠;崔豪杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無錫市中捷減震器有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;劉海 |
| 地址: | 214199 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁控濺射 真空室 轟擊 微納米 鉻靶 氮?dú)?/a> 銅絲 氬氣 室內(nèi) 鎳靶 鈦靶 磁控濺射真空室 真空室抽真空 基體表面 復(fù)合膜 離化 填充 纏繞 離子 封閉 傷害 | ||
本發(fā)明涉及一種磁控濺射微納米膜的方法,其特征是,包括以下步驟:(1)在磁控濺射真空室外側(cè)的外靶上纏繞銅絲,將真空室和真空室內(nèi)的內(nèi)靶清理干凈,把基體放置在內(nèi)靶上,封閉真空室;(2)對(duì)真空室抽真空,真空度為10?5~10?6Pa,向真空室中輸入氮?dú)夂蜌鍤馓畛湔婵帐遥獨(dú)夂蜌鍤獾谋壤秊?:3;(3)控制銅絲的電流值在4~13A,并使內(nèi)靶經(jīng)磁控濺射在基體表面形成微納米膜;首先采用鎳靶對(duì)基體轟材轟擊10min,再關(guān)閉鎳靶打開鉻靶轟擊基體3min形成CrN膜,再關(guān)閉鉻靶打開鈦靶轟擊基體8min形成TiN膜,最后關(guān)閉鈦靶打開鉻靶轟擊基體15min形成Cr?CrN復(fù)合膜。本發(fā)明提高了磁控濺射偏壓室內(nèi)的偏壓能力、真空室內(nèi)離子離化率減少對(duì)人體的傷害,提高作業(yè)時(shí)的效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種磁控濺射微納米膜的方法,尤其是一種通過電流增加外加磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度優(yōu)化得到微納米復(fù)合膜的方法。
背景技術(shù)
磁控濺射是指物體以離子撞擊時(shí),被濺射飛散出來,濺射飛散的物體附著于目標(biāo)基體上而制成薄膜,如日光燈的電極被濺射出而附著于周圍所形成濺鍍現(xiàn)象。要制作這一濺射薄膜,至少需要有裝置薄膜的基板及保持真空狀況的道具(內(nèi)部機(jī)構(gòu)),這種道具即為一制作空間,并使用真空泵將該制作空間內(nèi)的氣體抽出。
在磁控濺射真空室內(nèi)往往因?yàn)槠珘耗芰Φ牟蛔銓?dǎo)致電離的粒子轟擊基體的數(shù)量不足,使所需要濺射的時(shí)間增長(zhǎng),導(dǎo)致對(duì)基體濺射的不足復(fù)合膜能力的下降、以及真空室內(nèi)磁場(chǎng)強(qiáng)度的不足氮?dú)獾碾x化率不足、可供轟擊靶材的氮離子濃度下降使其與鉻離子在基體上的結(jié)合程度減弱,從而導(dǎo)致基體上的微納米復(fù)合膜接觸角減小疏水性下降。
現(xiàn)有條件下一般會(huì)增大偏壓電壓以提高離子的偏壓能力、電離率,但是增大電壓會(huì)導(dǎo)致設(shè)備局部電壓的不穩(wěn),影響離子的結(jié)合率影響真空室的密封性,會(huì)出現(xiàn)鉻離子外漏對(duì)人體造成靶中毒,具有很大的危害。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,提供一種磁控濺射微納米膜的方法,得到的微納米復(fù)合膜具有更好的疏水性、耐磨性和耐腐蝕能力。
按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案,所述磁控濺射微納米膜的方法,其特征是,包括以下步驟:
(1)在磁控濺射真空室外側(cè)的外靶上纏繞銅絲,將真空室和真空室內(nèi)的內(nèi)靶清理干凈,把基體放置在內(nèi)靶上,封閉真空室;
(2)對(duì)真空室抽真空,真空度為10-5~10-6Pa,向真空室中輸入氮?dú)夂蜌鍤馓畛湔婵帐遥獨(dú)夂蜌鍤獾谋壤秊?:3;
(3)控制銅絲的電流值在4~13A,并使內(nèi)靶經(jīng)磁控濺射在基體表面形成微納米膜;首先采用鎳靶對(duì)基體轟材轟擊10min,再關(guān)閉鎳靶打開鉻靶轟擊基體3min形成CrN膜,再關(guān)閉鉻靶打開鈦靶轟擊基體8min形成TiN膜,最后關(guān)閉鈦靶打開鉻靶轟擊基體15min形成Cr-CrN復(fù)合膜。
進(jìn)一步的,所述基體為經(jīng)高頻振蕩清洗后的不銹鋼薄板。
進(jìn)一步的,所述銅絲的纏繞匝數(shù)為320匝。
本發(fā)明克服了現(xiàn)有的不足,提高了磁控濺射偏壓室內(nèi)的偏壓能力、真空室內(nèi)離子離化率減少對(duì)人體的傷害,提高作業(yè)時(shí)的效率。
附圖說明
圖1為實(shí)施例一得到的基體表面復(fù)合膜在電子顯微鏡下的接觸角實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
圖2為實(shí)施例二得到的基體表面復(fù)合膜在電子顯微鏡下的接觸角實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
圖3為實(shí)施例三得到的基體表面復(fù)合膜在電子顯微鏡下的接觸角實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
圖4為實(shí)施例三得到的基體表面復(fù)合膜的電鏡圖。
圖5為對(duì)比例一得到的不銹鋼表面微納米復(fù)合膜的表面接觸角實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
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C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
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