[發(fā)明專利]磷化銦異質(zhì)結(jié)晶體管發(fā)射區(qū)材料干濕法結(jié)合刻蝕制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510614892.9
• 申請日: 2015-09-24
• 公開（公告）號: CN105225947A
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發(fā)明（設計）人: 牛斌;王元;程偉;常龍;謝俊領(lǐng)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/737
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水

1.一種磷化銦異質(zhì)結(jié)晶體管蘑菇型發(fā)射極制作方法，其特征是該方法包括以下步驟：

1）在磷化銦異質(zhì)結(jié)晶體管外延材料上使用干法刻蝕側(cè)蝕量較大的金屬制作下層發(fā)射極金屬薄膜;

2）在下層發(fā)射極金屬薄膜上，使用干法刻蝕側(cè)蝕量較小的金屬制作上層發(fā)射極金屬薄膜；

3）在上層發(fā)射極金屬薄膜上，使用光刻工藝制作發(fā)射極條形光刻膠掩膜；

4）利用干法刻蝕設備，刻蝕上下兩層發(fā)射極金屬；

5）利用去膠劑有機溶劑去除發(fā)射極條形光刻膠掩膜，以發(fā)射極金屬為腐蝕掩模，采用濕法腐蝕去除發(fā)射區(qū)外延材料；

6）采用自對準方法制備基極接觸金屬，完成磷化銦異質(zhì)結(jié)晶體管蘑菇型發(fā)射極制作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化銦異質(zhì)結(jié)晶體管蘑菇型發(fā)射極制作方法，其特征是所述使用干法刻蝕側(cè)蝕量較大的金屬制作下層發(fā)射極金屬薄膜，是干法刻蝕單邊側(cè)蝕量大于30納米，厚度范圍為50納米到500納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化銦異質(zhì)結(jié)晶體管蘑菇型發(fā)射極制作方法，其特征是所述使用干法刻蝕側(cè)蝕量較小的金屬制作上層發(fā)射極金屬薄膜，是干法刻蝕單邊側(cè)蝕量小于10納米，厚度范圍為50納米到500納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化銦異質(zhì)結(jié)晶體管蘑菇型發(fā)射極制作方法，其特征是所述的干法刻蝕單邊側(cè)蝕量是指在干法刻蝕完發(fā)射極金屬后，發(fā)射極金屬下邊緣與同側(cè)掩膜邊緣的水平距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化銦異質(zhì)結(jié)晶體管蘑菇型發(fā)射極制作方法，其特征是所述的制作干法刻蝕側(cè)蝕量較大的發(fā)射極金屬是在先制作，然后再制作干法刻蝕側(cè)蝕量較小的發(fā)射極金屬，在發(fā)射極光刻膠掩膜遮蔽下，干法刻蝕兩層發(fā)射極金屬；由于上下兩層發(fā)射極金屬在干法刻蝕下的側(cè)蝕量差異，形成上層發(fā)射極金屬比下層發(fā)射極金屬寬度較寬的類似于蘑菇型的發(fā)射極形貌；為自對準工藝提供發(fā)射極與基極之間的電隔離間隙，減小自對準工藝對濕法腐蝕發(fā)射區(qū)材料的側(cè)蝕量需求，從而提高磷化銦異質(zhì)結(jié)晶體管發(fā)射極成品率與可靠性。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化銦異質(zhì)結(jié)晶體管蘑菇型發(fā)射極制作方法，其特征是所述的濕法腐蝕是以發(fā)射極金屬為腐蝕掩膜，采用酸性腐蝕液腐蝕并去除發(fā)射區(qū)外延材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化銦異質(zhì)結(jié)晶體管蘑菇型發(fā)射極制作方法，其特征是所述自對準方法是：先光刻出覆蓋發(fā)射極，且比發(fā)射極金屬更寬的圖形，使圖形區(qū)域無光刻膠覆蓋，周圍區(qū)域有光刻膠覆蓋，蒸發(fā)基極接觸金屬，最后去除光刻膠的同時將光刻膠上的基極接觸金屬同時剝離，留下發(fā)射極兩側(cè)的基極接觸金屬與覆蓋在發(fā)射極上的基極接觸金屬，由于蘑菇型發(fā)射極金屬形貌，在發(fā)射極與基極金屬之間形成了間隙，從而為自對準工藝提供發(fā)射極與基極之間的電隔離的作用。