[發明專利]用于RF開關優化的本體偏置

有效

• 申請號: 201510608720.0
• 申請日: 2015-09-22
• 公開（公告）號: CN105450205A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: H·康
• 申請（專利權）人: ACCO公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李輝;呂世磊

1.一種開關，包括：

串聯設置的多個晶體管，所述多個晶體管中的每個晶體管包括源極、漏極、布置在所述源極和所述漏極之間的溝道、以及用于控制所述溝道的柵極；

第一偏置網絡，被配置為偏置所述多個晶體管的所述柵極；以及

第二偏置網絡，被配置為偏置所述多個晶體管的所述溝道。

2.根據權利要求1所述的開關，其中，所述第二偏置網絡包括用于所述多個晶體管中的每個晶體管的電阻器，其中所述電阻器串聯設置，其中每個電阻器具有近端和遠端，其中每個電阻器的每個遠端與節點相關聯，以及其中每個所述節點偏置對應的晶體管的所述溝道。

3.根據權利要求1所述的開關，其中，所述第二偏置網絡包括第一二極管，所述第一二極管被正向偏置。

4.根據權利要求3所述的開關，其中，所述第二偏置網絡進一步包括與所述第一二極管串聯的第二二極管和第三二極管，所述第二二極管和所述第三二極管也被正向偏置。

5.根據權利要求3所述的開關，進一步包括與所述第一二極管并聯設置的第二二極管，所述第二二極管被反向偏置。

6.根據權利要求1所述的開關，進一步包括被配置為提供可變偏置電壓的DC控制電路，其中所述第一偏置網絡和所述第二偏置網絡被配置為從所述DC控制電路接收相同的可變偏置電壓。

7.根據權利要求1所述的開關，進一步包括用于每個晶體管的并聯連接在所述晶體管的所述源極和所述漏極之間的梯形電阻器。

8.根據權利要求1所述的開關，其中，所述開關被限定在CMOS中。

9.根據權利要求1所述的開關，其中，所述開關被限定在絕緣體上硅裸片上。

10.一種RF裝置，包括：

多個功率放大器；

天線；以及

天線開關，被配置為一次將所述多個功率放大器中的一個功率放大器耦合至所述天線，所述天線開關包括用于每個功率放大器的串聯開關，所述串聯開關包括

串聯設置的多個晶體管，所述多個晶體管中的每個晶體管包括源極、漏極、布置在所述源極和所述漏極之間的溝道、以及用于控制所述溝道的柵極，

第一偏置網絡，被配置為偏置所述多個晶體管的所述柵極，以及

第二偏置網絡，被配置為偏置所述多個晶體管的所述溝道。

11.根據權利要求10所述的RF裝置，其中，所述第二偏置網絡包括用于所述多個晶體管中的每個晶體管的電阻器，其中所述電阻器串聯設置，其中每個電阻器具有近端和遠端，其中每個電阻器的每個遠端與節點相關聯，以及其中每個所述節點偏置對應的晶體管的所述溝道。

12.根據權利要求10所述的RF裝置，其中，所述第二偏置網絡包括第一二極管，所述第一二極管被正向偏置。

13.根據權利要求12所述的RF裝置，其中，所述第二偏置網絡進一步包括與所述第一二極管串聯的第二二極管和第三二極管，所述第二二極管和所述第三二極管也被正向偏置。

14.根據權利要求12所述的RF裝置，進一步包括與所述第一二極管并聯設置的第二二極管，所述第二二極管被反向偏置。

15.根據權利要求10所述的RF裝置，進一步包括被配置為提供可變偏置電壓的DC控制電路，其中所述第一偏置網絡和所述第二偏置網絡被配置為從所述DC控制電路接收相同的可變偏置電壓。

16.根據權利要求10所述的RF裝置，進一步包括用于每個晶體管的并聯連接在所述晶體管的所述源極和所述漏極之間的梯形電阻器。

17.根據權利要求10所述的RF裝置，其中，所述開關被限定在CMOS中。

18.根據權利要求10所述的RF裝置，其中，所述開關被限定在絕緣體上硅裸片上。