[發(fā)明專利]一種適合多層膜電路制作的鎳光刻腐蝕液配方及腐蝕方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510594064.3 | 申請(qǐng)日： | 2015-09-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105274530B | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王峰;王平;白浩;黃海濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安空間無(wú)線電技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào)： | C23F1/28 | 分類號(hào)： | C23F1/28 |
| 代理公司： | 中國(guó)航天科技專利中心 11009 | 代理人： | 龐靜 |
| 地址： | 710100 陜*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 腐蝕 配方 多層膜 電路制作 光刻腐蝕 去離子水 硝酸 氫氟酸 線條 附著力 鋸齒狀凸起 金屬膜層 對(duì)比膜 工藝性 顯微鏡 側(cè)壁 光滑 膜層 內(nèi)凹 內(nèi)縮 鎳層 電路 驗(yàn)證 觀察 | ||
1.一種適合多層膜電路制作的鎳光刻腐蝕液配方，其特征在于：腐蝕液配方適用于采用磁控濺射方法得到的Ni膜層，包括氫氟酸、硝酸和去離子水；各組成部分的體積比如下：
氫氟酸：硝酸：去離子水＝(0.8-1.2)：(2.5-3.5)：2，其中，氫氟酸是質(zhì)量百分比為40％的氫氟酸，硝酸是質(zhì)量百分比為70％的硝酸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適合多層膜電路制作的鎳光刻腐蝕液配方，其特征在于：氫氟酸、硝酸和去離子水的最優(yōu)體積比為1：3：2。
3.一種適合多層膜電路制作的鎳光刻腐蝕方法，其特征在于步驟如下：
(1)在通風(fēng)條件下，按照權(quán)利要求1中所述的配方比例，首先將氫氟酸加入預(yù)先計(jì)量好的去離子水中，然后加入硝酸，加入后攪拌，靜置、冷卻后得到腐蝕液；
(2)將經(jīng)過(guò)光刻膠保護(hù)的待腐蝕鎳層的多層膜電路整片浸入步驟(1)中的腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，對(duì)于
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種適合多層膜電路制作的鎳光刻腐蝕方法，其特征在于：Ni層腐蝕完成后立即使用去離子水將表面沖洗干凈。
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