[發明專利]太陽能電池正極柵線和太陽能電池及其制作方法有效
| 申請號: | 201510587099.4 | 申請日: | 2015-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN106531818B | 公開(公告)日: | 2017-12-01 |
| 發明(設計)人: | 韋家亮;冷世偉;林宏業;連俊蘭 | 申請(專利權)人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司11283 | 代理人: | 嚴政,李婉婉 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 正極 及其 制作方法 | ||
1.一種太陽能電池正極柵線,所述太陽能電池正極柵線附著在太陽能電池硅片的正面,其特征在于,所述太陽能電池正極柵線包括與所述太陽能電池硅片的正面接觸的鈦層以及附著在所述鈦層表面的非鈦金屬層,所述鈦層為由含有含鈦有機物的金屬漿料進行光固化之后形成的涂層。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池正極柵線,其中,所述金屬漿料為含鈦有機物和溶劑與改性劑的混合物,所述改性劑為有機銅鹽、有機鎳鹽和麥芽酚中的至少一種。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池正極柵線,其中,在所述金屬漿料中,所述含鈦有機物的含量與所述有機銅鹽、有機鎳鹽和麥芽酚的總含量的重量比為0.2-1:1。
4.根據權利要求2所述的太陽能電池正極柵線,其中,所述含鈦有機物為鈦酸四異丙酯和/或鈦酸四丁酯;所述有機銅鹽為重鉻酸銅、三氟甲磺酸銅和醋酸銅中的至少一種;所述有機鎳鹽為醋酸鎳和/或乙酰丙酮鎳;所述麥芽酚為甲基麥芽酚和/或乙基麥芽酚;所述溶劑為醇類溶劑和/或酯類溶劑。
5.根據權利要求1或2所述的太陽能電池正極柵線,其中,所述非鈦金屬層包括依次疊附在所述鈦層上的鎳層、銅層和錫層。
6.根據權利要求5所述的太陽能電池正極柵線,其中,所述鈦層的厚度為0.05-3微米,所述鎳層的厚度為0.1-4微米,所述銅層的厚度為1-20微米,所述錫層的厚度為2-5微米。
7.一種制作太陽能電池正極柵線的方法,該方法包括以下步驟:
(1)往太陽能電池硅片的正面涂覆含有含鈦有機物的金屬漿料;
(2)將涂覆有所述金屬漿料的太陽能電池硅片的表面需要形成正極柵線的區域進行光固化,使得該區域的金屬漿料進行光固化反應;
(3)將經光固化的太陽能電池硅片用顯影藥水進行浸泡,使得未進行光固化的區域上的金屬漿料溶解在所述顯影藥水中,以形成圖案為正極柵線的鈦層;
(4)將步驟(3)得到的產品進行高溫燒結,然后在所述鈦層的表面上依次進行表面活化和表面金屬化。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,所述金屬漿料為含鈦有機物和溶劑與改性劑的混合物,所述改性劑為有機銅鹽、有機鎳鹽和麥芽酚中至少一種。
9.根據權利要求8所述的方法,其中,在所述金屬漿料中,所述含鈦有機物的含量與所述有機銅鹽、有機鎳鹽和麥芽酚的總含量的重量比為0.2-1:1。
10.根據權利要求8所述的方法,其中,所述含鈦有機物為鈦酸四異丙酯和/或鈦酸四丁酯;所述有機銅鹽為重鉻酸銅、三氟甲磺酸銅和醋酸銅中的至少一種;所述有機鎳鹽為醋酸鎳和/或乙酰丙酮鎳;所述溶劑為醇類溶劑和/或酯類溶劑。
11.根據權利要求7或8所述的方法,其中,所述光固化為紫外光固化或激光固化。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,當所述光固化為紫外光固化時,所述光固化的方式為:往涂覆有所述金屬漿料的太陽能電池硅片的表面上遮蓋掩膜,所述掩膜包括透光區域和不透光區域且所述透光區域的圖案為正極柵線圖案,然后進行紫外光固化,使得所述透光區域的金屬漿料進行光固化反應。
13.根據權利要求12所述的方法,其中,所述光固化的條件包括紫外光能量為500-3000mj/cm2。
14.根據權利要求11所述的方法,其中,當所述光固化為激光固化時,所述光固化的方式為:往涂覆有所述金屬漿料的太陽能電池硅片的表面需要形成正極柵線的區域采用激光進行照射,使得經激光照射區域上的金屬漿料進行光固化反應。
15.根據權利要求14所述的方法,其中,所述光固化的條件包括激光能量為2000-3500mj/cm2。
16.根據權利要求7或8所述的方法,其中,所述顯影藥水含有四甲基氫氧化銨、氨基磺酸鈉和檸檬酸銨。
17.根據權利要求16所述的方法,其中,所述顯影藥水中四甲基氫氧化銨、氨基磺酸鈉和檸檬酸銨的重量比為1-3:1-2:1。
18.根據權利要求7或8所述的方法,其中,所述浸泡的條件包括:顯影藥水的溫度為10-80℃,浸泡時間為10-240s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





