[發明專利]一種多孔碳化硅陶瓷的制備方法

在審

• 申請號: 201510571106.1
• 申請日: 2015-09-09
• 公開（公告）號: CN105198437A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 劉永勝;萬佳佳;董寧;張青;門靜;成來飛;張立同
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: C04B35/565
• 分類號: C04B35/565;C04B38/00
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種多孔碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于步驟如下：

步驟1、制備多孔SiC坯體：將SiC顆粒、粘結劑聚乙烯醇縮丁醛PVB和乙醇混合，使粘結劑聚乙烯醇縮丁醛PVB包裹在SiC顆粒表面得到粘稠狀的混合物；將粘稠狀的混合物制成設計指定的形狀部件，然后烘干得到多孔SiC坯體；所述SiC∶PVB∶乙醇的質量比例為10～20∶1～5∶1～5；

步驟2：將多孔SiC坯體放入化學氣相滲透爐CVI爐進行化學氣相滲透，在CVI過程中，生成的SiC陶瓷相起到粘結SiC顆粒和填充孔隙的作用，進而使坯體強度增強，得到指定形狀的多孔SiC陶瓷部件。

2.根據權利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于：所述SiC顆粒的粒徑分布在50μm-500μm之間。

3.根據權利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于：所述設計指定的形狀部件為板件、管件或者其他結構構件。

4.根據權利要求1或3所述多孔碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于：所述制成設計指定的形狀部件的成型方式是注漿成型、擠出成型、熱壓成型、冷等靜壓成型或離心沉淀成型。

5.根據權利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于：所述形狀部件的烘干溫度范圍是50～200℃。

6.根據權利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于：所述步驟2的CVI爐進行化學氣相滲透的工藝條件為：以MTS即CH₃SiCl₃作為先驅體，氫氣作為載氣和稀釋氣體，氬氣作為保護氣體；總氣壓為0.5～5kPa，沉積溫度為900-1200℃，沉積時間為10～200h；所述MTS∶H₂∶Ar的比例為1∶5～20∶3～15。

7.根據權利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于：當SiC顆粒為100μm粒徑和500μm粒徑兩種時，重量比為100μm粒徑∶500μm粒徑＝1∶2。

8.根據權利要求1所述多孔碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于：當SiC顆粒為50μm粒徑、100μm粒徑和300μm粒徑三種時，重量比為50μm粒徑∶100μm粒徑∶300μm粒徑＝1∶2∶3。