[發明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201510564816.1 | 申請日: | 2015-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN105206646A | 公開(公告)日: | 2015-12-30 |
| 發明(設計)人: | 胡月;劉則 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
目前,在有源矩陣有機發光二極管(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode,縮寫為AMOLED)顯示器件中,其陣列基板的結構參見圖1所示,其中1為陣列基板的襯底基板;2為柵電極;3為有源層;4為源電極;5為漏電極;6為無機絕緣層;7為平坦層;8為像素界定層(PixelDefineLayer,PDL);9為陽極,包括透明導電材料和金屬銀;10為柵絕緣層;11為有機發光層;12為陰極。
現有技術中,平坦層7通常采用有機材料,如:有機樹脂,有機材料加工工藝簡單,并且可以提供較平坦的表面。無機絕緣層6的材料通常采用SiOx或SiNx,SiOx或SiNx可以與有機材料產生氫鍵,增大吸附性。但是有機材料與透明導電材料吸附性較差,容易導致平坦層7和陽極9發生脫離。
發明內容
本發明提供一種顯示基板及其制作方法,用以解決顯示基板上的平坦層與透明導電層吸附性差,容易導致兩者發生脫離的問題。
本發明還提供一種顯示裝置,采用上述的顯示基板,用以提高產品的良率和品質。
為解決上述技術問題,本發明實施例中提供一種顯示基板,包括平坦層,用于提供平坦的表面,所述平坦層的材料包括有機硅,用以增加所述平坦層與有機材料薄膜和無機材料薄膜的粘附性。
本發明實施例中還提供一種顯示基板的制作方法,包括形成平坦層的步驟,所述平坦層用于提供平坦的表面,所述形成平坦層的步驟包括:
制備用于形成所述平坦層的有機硅;
通過成膜工藝,形成有機硅薄膜;
固化所述有機硅薄膜,形成所述平坦層。
本發明實施例中還提供一種顯示裝置,包括如上所述的顯示基板。
本發明的上述技術方案的有益效果如下:
上述技術方案中,顯示基板的平坦層由包括有機硅的材料制得,由于有機硅兼具有有機材料和無機材料的性能,能夠增加平坦層與有機材料薄膜和無機材料薄膜的粘附性,防止平坦層與相鄰薄膜的界面發生脫離,保證顯示基板的性能,提高產品品質。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1表示本發明實施例中有源矩陣有機發光二極管陣列基板的結構示意圖;
圖2表示本發明實施例中有源矩陣有機發光二極管顯示面板的結構示意圖。
具體實施方式
本發明提供一種顯示基板,包括用以提供平臺表面的平坦層,所述平坦層的材料包括有機硅,由于有機硅兼具有有機材料和無機材料的性能,使得平坦層與有機材料薄膜和無機材料薄膜具有良好的粘附性,防止平坦層與相鄰薄膜發生剝離,保證顯示基板的性能,提高產品品質。
其中,有機硅即有機硅化合物,是指含有Si-C鍵,且至少有一個有機基是直接與硅原子相連的化合物,習慣上也常把那些通過氧、硫、氮等使有機基與硅原子相連接的化合物也當作有機硅化合物。其中,以硅氧鍵(-Si-0-Si-)為骨架組成的聚硅氧烷,是有機硅化合物中為數最多,研究最深、應用最廣的一類,約占總用量的90%以上。有機硅材料具有獨特的結構:
(1)Si原子上充足的甲基將高能量的聚硅氧烷主鏈屏蔽起來;
(2)C-H無極性,使分子間相互作用力十分微弱;
(3)Si-O鍵長較長,Si-O-Si鍵鍵角大。
(4)Si-O鍵是具有50%離子鍵特征的共價鍵(共價鍵具有方向性,離子鍵無方向性)。
由于有機硅獨特的結構,兼備了無機材料與有機材料的性能,具有表面張力低、粘溫系數小、壓縮性高、氣體滲透性高等基本性質,并具有耐高低溫、電氣絕緣、耐氧化穩定性、耐候性、難燃、憎水、耐腐蝕、無毒無味以及生理惰性等優異特性。
而且有機硅具有較好的成膜特性,能夠保證平坦層的成膜質量。
現有技術中兼具有有機材料和無機材料性能的材料并不局限于有機硅,本領域技術人員基于本發明的發明構思,很容易想到也可以選擇其他易于成膜且兼具有有機材料和無機材料性能的材料來取代有機硅,實現本發明的技術方案,其屬于本發明的保護范圍。
下面將結合附圖和實施例,對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明,但不用來限制本發明的范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





