[發明專利]發光二極管

有效

• 申請號: 201510547355.7
• 申請日: 2013-02-27
• 公開（公告）號: CN105047773B
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 傅毅耕
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種發光二極管，包括：

一基板；

一N型半導體層與一P型半導體層，其中該N型半導體層位于該基板與該P型半導體層之間；

一有源層，位于該N型半導體層以及該P型半導體層之間，該有源層發出的光波長λ滿足222nm≤λ≤405nm，該有源層包括i層的量子磊層以及(i-1)層量子阱層，各量子阱層位于任意兩層量子磊層之間，且i為大于等于2的自然數，該i層中各量子磊層的厚度自該P型半導體層側起算依序為T₁、T₂、T₃…T_i，其中T₁大于T₂與T₃；以及

一第一電極以及一第二電極，其中該第一電極位于該N型半導體層的部分區域上，且該第二電極位于該P型半導體層的部分區域上。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其中T₂≥T₃。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其中在該i層量子磊層中，最靠近該N型半導體層的厚度T_i為最薄。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其中摻雜N型雜質于所述量子磊層中的至少k層，k為大于等于1的自然數，當i為偶數時，k≥i/2，當i為奇數時，k≥(i-1)/2。

5.如權利要求1所述的發光二極管，其中所述量子磊層的材料包括Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤0.3，且x+y≤1。

6.如權利要求1所述的發光二極管，其中所述量子阱層的材料包括Al_mIn_nGa_1-m-nN，其中0≤m<1，0≤n≤0.5，m+n≤1，且x>m，n≥y。

7.一種發光二極管，包括：

一基板；

一N型半導體層與一P型半導體層，其中該N型半導體層位于該基板與該P型半導體層之間；

一有源層，位于該N型半導體層以及該P型半導體層之間，該有源層發出的光波長λ滿足222nm≤λ≤405nm，該有源層包括i層的量子磊層以及(i-1)層量子阱層，各量子阱層位于任意兩層量子磊層之間，且i為大于等于2的自然數，該i層中各量子磊層的厚度自該P型半導體層側起算依序為T₁、T₂、T₃…T_i，其中該i層量子磊層中厚度滿足：T₁＝T₂＞T₃；以及

一第一電極以及一第二電極，其中該第一電極與該第二電極分別位于該N型半導體層的部分區域上與該P型半導體層的部分區域上。

8.如權利要求7所述的發光二極管，其中在該i層量子磊層中，最靠近該N型半導體層的厚度T_i為最薄。

9.如權利要求7所述的發光二極管，其中摻雜N型雜質于所述量子磊層中的至少k層，k為大于等于1的自然數，當i為偶數時，k≥i/2，當i為奇數時，k≥(i-1)/2。

10.如權利要求7所述的發光二極管，其中所述量子磊層的材料包括Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤0.3，且x+y≤1。

11.如權利要求7所述的發光二極管，其中所述量子阱層的材料包括Al_mIn_nGa_1-m-nN，其中0≤m<1，0≤n≤0.5，m+n≤1，且x>m，n≥y。

12.一種發光二極管，包括：

一基板；

一N型半導體層與一P型半導體層，其中該N型半導體層位于該基板與該P型半導體層之間；

一有源層，位于該N型半導體層以及該P型半導體層之間，該有源層發出的光波長λ滿足222nm≤λ≤405nm，該有源層包括i層的量子磊層以及(i-1)層量子阱層，各量子阱層位于任意兩層量子磊層之間，且i為大于等于2的自然數，該i層中各量子磊層的厚度自該P型半導體層側起算依序為T₁、T₂、T₃…T_i，在該些量子磊層中，最靠近該P型半導體層側的厚度T₁最大，而最靠近該N型半導體層側的厚度T_i最小；以及

一第一電極以及一第二電極，其中該第一電極與該第二電極分別位于該N型半導體層的部分區域上與該P型半導體層的部分區域上。