[發明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201510542220.1 | 申請日: | 2015-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN105390525B | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 李省龍;徐常源 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括具有中央區域和圍繞所述中央區域的外周區域的基底,所述中央區域具有顯示區域,所述顯示區域包括至少一個顯示器件和薄膜晶體管,所述顯示裝置還包括:
顯示區域無機層,位于所述顯示區域上且位于所述至少一個顯示器件下方,并延伸到所述外周區域的一部分;
鈍化層,位于所述薄膜晶體管和所述顯示區域無機層上,所述至少一個顯示器件位于所述鈍化層上并穿過所述鈍化層電連接到所述薄膜晶體管;以及
包封無機層,位于所述顯示區域無機層上,覆蓋所述顯示區域,并具有與所述顯示區域無機層的邊緣連接的邊緣,或者具有延伸越過所述顯示區域無機層的邊緣的邊緣,
其中,所述包封無機層覆蓋所述至少一個顯示器件,并在所述外周區域處與位于所述鈍化層下方的所述顯示區域無機層的頂表面直接接觸,
其中,所述顯示區域無機層接觸從所述薄膜晶體管的有源層、柵極、源極和漏極中選擇的至少一個。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述包封無機層比所述基底小,所述包封無機層的所述邊緣與所述基底的邊緣隔開。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示區域無機層比所述基底小,所述顯示區域無機層的所述邊緣與所述基底的邊緣隔開。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述包封無機層的至少一個邊緣延伸越過所述顯示區域無機層的所述邊緣,從而位于所述基底上。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述包封無機層包括主要區域和連接到所述主要區域的陰影區域,所述陰影區域比所述主要區域更接近所述基底的邊緣。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,所述主要區域延伸越過所述顯示區域無機層的所述邊緣,所述陰影區域位于所述基底上。
7.根據權利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,所述主要區域的邊緣未延伸越過所述顯示區域無機層的所述邊緣,所述陰影區域接觸所述顯示區域無機層的側表面。
8.根據權利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,所述陰影區域具有傾斜的側表面。
9.根據權利要求5所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括與所述顯示區域無機層分開的分開構件,
其中,所述包封無機層的所述陰影區域未延伸越過所述分開構件,所述陰影區域未比所述分開構件更接近所述基底的邊緣。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,所述陰影區域接觸所述分開構件的側表面。
11.根據權利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,所述陰影區域與所述分開構件的側表面分開。
12.根據權利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,所述分開構件包括與所述顯示區域無機層的材料相同的材料。
13.根據權利要求1所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括介于所述基底與所述顯示區域無機層之間的阻擋層。
14.根據權利要求13所述的顯示裝置,其特征在于,所述包封無機層的至少一個邊緣延伸越過所述阻擋層的邊緣。
15.根據權利要求13所述的顯示裝置,其特征在于,所述阻擋層的至少一個邊緣延伸越過所述包封無機層的所述邊緣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





