[發明專利]晶圓級圖像傳感器

有效

• 申請號: 201510512029.2
• 申請日: 2015-08-20
• 公開（公告）號: CN105304557B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 黃雙武;劉辰;黃麥瑞;陳潔
• 申請（專利權）人: 蘇州科陽光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/146
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;王健

1.一種晶圓級圖像傳感器，其特征在于：包括圖像傳感芯片（1）、透明蓋板（2），此圖像傳感芯片（1）的上表面具有感光區（3），所述透明蓋板（2）邊緣和圖像傳感芯片（1）的上表面邊緣之間具有支撐圍堰（4）從而在透明蓋板（2）和圖像傳感芯片（1）之間形成空腔（13），此支撐圍堰（4）與圖像傳感芯片（1）之間通過膠水層（5）粘合，圖像傳感芯片（1）下表面的四周邊緣區域分布有若干個盲孔（6），所述圖像傳感芯片（1）下表面和盲孔（6）側表面具有鈍化層（7），此盲孔（6）底部具有圖像傳感芯片（1）的引腳焊盤（8），所述鈍化層（7）與圖像傳感芯片（1）相背的表面具有金屬導電圖形層（9），一防焊層（10）位于金屬導電圖形層（9）與鈍化層（7）相背的表面，此防焊層（10）上開有若干個通孔（11），一焊球（12）通過所述通孔（11）與金屬導電圖形層（9）電連接，所述支撐圍堰（4）由上下疊放的第一支撐圍堰層（41）和第二支撐圍堰層（42）組成，此第一支撐圍堰層（41）與透明蓋板（2）接觸，此第二支撐圍堰層（42）與圖像傳感芯片（1）接觸，所述第二支撐圍堰層（42）內側面具有若干個連續排列的V形缺口（14），所述第二支撐圍堰層（42）四個拐角處均設有弧形缺口（15），所述支撐圍堰（4）與圖像傳感芯片（1）接觸的表面均勻設有若干凹孔（16）；

所述盲孔（6）由碗狀孔（61）和位于碗狀孔（61）底部的直孔（62）組成，所述盲孔（6）通過以下工藝獲得，包括以下步驟：

步驟一、在所述圖像傳感芯片（1）下表面通過光刻顯影的方式制作一作為掩膜層的光刻膠層；

步驟二、通過北微的DSE200C深硅蝕刻機第一次各向同性干法刻蝕形成碗狀孔，第一次各向同性干法刻蝕工藝參數為：腔壓90mTorr、SF6流量為800sccm、線圈功率3000W、射頻偏置電壓0W、刻蝕時間180s；

步驟三、通過北微的DSE200C深硅蝕刻機采用第一各向異性刻蝕和第二各向異性刻蝕交替進行，從而在碗狀孔的底部向下形成直孔，第一各向異性刻蝕和第二各向異性刻蝕交替次數為45~55次，所述第一各向異性刻蝕工藝參數為：腔壓20mTorr、C4F8流量為200sccm、線圈功率2000W、射頻偏置電壓0W、刻蝕時間2s，所述第二各向異性刻蝕工藝參數為：腔壓35mTorr、SF6流量為350sccm、線圈功率2500W、射頻偏置電壓23 W、刻蝕時間5.5s；

步驟四、采用丙酮作為掩膜層的光刻膠層；

步驟五、第二次各向同性干法刻蝕去除前兩次刻蝕產生的倒角，第一次各向同性干法刻蝕工藝參數為：腔壓50mTorr、SF6流量為800sccm、O₂流量為50sccm、線圈功率4000W、射頻偏置電壓50 W、刻蝕時間120s；

步驟六、在碗狀孔（61）和直孔（62）的側表面形成所述鈍化層（7）；

步驟七、通過激光打孔露出位于底部的引腳焊盤（8），并通過金屬導電圖形層（9）實現引腳和引腳焊盤（8）之間的電接觸連接。

2.根據權利要求1所述的晶圓級圖像傳感器，其特征在于：所述防焊層（10）材料為苯并環丁烯、聚酰亞胺、感光型環氧樹脂中的一種。