[發(fā)明專利]化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或外延層生長反應(yīng)器及其支撐裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510488112.0 | 申請日: | 2011-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN105088186A | 公開(公告)日: | 2015-11-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 尹志堯;姜勇 | 申請(專利權(quán))人: | 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/458 |
| 代理公司: | 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 張靜潔;徐雯瓊 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化學(xué) 沉積 反應(yīng)器 外延 生長 及其 支撐 裝置 | ||
1.一種應(yīng)用于化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或外延層生長反應(yīng)器內(nèi)、用于可分離地支撐基片承載架的支撐裝置,包括:可旋轉(zhuǎn)的主軸部,所述主軸部設(shè)置有支撐面用以支撐所述基片承載架;以及自所述支撐面向上延伸一高度的插接部,所述插接部呈一橢圓柱體或一長方體或一正方體;
所述基片承載架設(shè)置有至少一個向內(nèi)凹陷的凹進部,所述插接部可分離地插接于所述凹進部內(nèi),所述插接部的外周圍與所述凹進部的內(nèi)周壁有間隙,所述插接部至少部分地與所述凹進部的至少部分相互卡合或相互抵靠,在所述主軸部旋轉(zhuǎn)時,藉由所述插接部推動所述基片承載架同步旋轉(zhuǎn),
所述凹進部在所述基片承載架內(nèi)設(shè)置有一頂表面,對應(yīng)的支撐裝置的插接部上也設(shè)置有一頂表面,所述凹進部的頂表面與所述插接部的頂表面之間存在間隙。
2.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置,其特征在于,所述主軸部的上端設(shè)置有自所述主軸部外圍向外延伸開來的支撐部,所述支撐部的上表面即為主軸部的所述支撐面。
3.如權(quán)利要求2所述的支撐裝置,其特征在于,所述支撐部呈圓柱形、立方體或其他不規(guī)則形狀。
4.如權(quán)利要求2所述的支撐裝置,其特征在于,所述支撐部的上表面為平坦的表面或粗糙表面或為具有增加摩擦力的結(jié)構(gòu)的表面。
5.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置,其特征在于,所述插接部一體形成于所述主軸部。
6.一種與如權(quán)利要求1至5任一項所述的支撐裝置配合使用的基片承載架,所述基片承載架包括第一表面和第二表面,所述第一表面用于放置若干待處理的基片,所述第二表面設(shè)置有至少一個向內(nèi)凹陷的凹進部,所述支撐裝置的插接部可分離地插接于所述凹進部內(nèi);所述凹進部在水平面方向的橫截面形狀為橢圓形或長方形或正方形或三角形;
其中,當所述插接部可分離地插接于所述凹進部內(nèi)時,在此位置下,所述支撐面至少部分地與所述基片承載架的第二表面相接觸,并且藉由該接觸的支撐面來支撐所述基片承載架;所述插接部的外周圍與所述凹進部的內(nèi)周壁有間隙,所述插接部的部分外周圍與所述凹進部的部分內(nèi)周壁或相互卡合或相互抵靠,在所述主軸部旋轉(zhuǎn)時,藉由所述插接部推動所述基片承載架一起旋轉(zhuǎn)。
7.如權(quán)利要求6所述的基片承載架,其特征在于,所述凹進部在所述基片承載架內(nèi)設(shè)置有一頂表面;對應(yīng)的支撐裝置的插接部上也設(shè)置有一頂表面;
在所述插接部插接于所述凹進部的插接狀態(tài),所述基片承載架的第二表面的至少部分與所述主軸部的支撐面的至少部分相接觸,并且,所述凹進部的頂表面與所述插接部的頂表面之間存在間隙。
8.一種設(shè)置有如權(quán)利要求1至5任一項所述的支撐裝置與如權(quán)利要求6至7任一項所述的基片承載架的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或外延層生長反應(yīng)器或基片承載組件。
9.一種應(yīng)用于化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或外延層生長反應(yīng)器內(nèi)、用于可分離地支撐基片承載架的支撐裝置,包括:可旋轉(zhuǎn)的主軸部,所述主軸部設(shè)置有支撐面用以支撐所述基片承載架;以及自所述支撐面向上延伸的插接部,所述插接部上設(shè)置有至少一個卡接鍵或定位銷,其中,所述基片承載架包括第一表面和第二表面,所述第一表面用于放置若干待處理的基片,所述第二表面用于接收來自下方加熱裝置的熱輻射并設(shè)置有至少一個向內(nèi)凹陷的凹進部,所述凹進部的側(cè)壁上設(shè)置有與所述卡接鍵或定位銷相配合的卡接槽;
所述插接部可分離地插接于所述凹進部內(nèi),在此位置下,所述支撐面至少部分地與所述基片承載架的第二表面相接觸,并且藉由該接觸的支撐面來支撐所述基片承載架,所述插接部的外周圍與所述凹進部的內(nèi)周壁有間隙,所述插接部至少部分地與所述凹進部的至少部分相互卡合或相互抵靠,在所述主軸部旋轉(zhuǎn)時,藉由所述插接部推動所述基片承載架同步旋轉(zhuǎn),
所述凹進部在所述基片承載架內(nèi)設(shè)置有一頂表面,對應(yīng)的支撐裝置的插接部上也設(shè)置有一頂表面,所述凹進部的頂表面與所述插接部的頂表面之間存在間隙。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司,未經(jīng)中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510488112.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





