[發明專利]一種降低晶硅太陽能電池成本提高效率的方法在審
| 申請號: | 201510439391.1 | 申請日: | 2016-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN105679845A | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 易敏華;陳園;楊曉琴;黃明;張廣路;金陽;曹江偉 | 申請(專利權)人: | 上饒光電高科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01B1/02 |
| 代理公司: | 江西省專利事務所 36100 | 代理人: | 楊志宇 |
| 地址: | 334100 江*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 降低 太陽能電池 成本 提高效率 方法 | ||
1.一種降低晶硅太陽能電池成本提高效率的方法,其特征在于:包括以下步驟:
(1)覆蓋保護膜;(2)在保護膜上制備柵線圖形;(3)制備導電柵線;(4)去除保護膜;(5)沉積抗氧化保護層。
2.一種降低晶硅太陽能電池成本提高效率的方法,其特征在于:包括以下步驟:
在需要處理的晶硅太陽能電池正面沉積有減反射作用的氮化硅膜,背面印刷有鋁背場和背電極;
(1)覆蓋保護膜:
在沉積有氮化硅減反射膜的表面熱覆蓋一層保護膜,根據正面柵線圖形的要求,在保護膜上得到正面柵線圖形;
(2)在保護膜上制備柵線圖形:
對無保護膜保護的區域進行腐蝕,將該區域的氮化硅減反射膜去除,使該區域的Si基體裸露出來,得到正面柵線電路圖形,其中,保護膜具有抗腐蝕成分,在腐蝕氮化硅的過程中能阻擋腐蝕液,保護被保護膜覆蓋區域下的氮化硅膜不被腐蝕;
(3)制備導電柵線:
將前一步中得到的產品的正面接觸室溫的氯化鈀激活液,在裸露的Si基體表面形成一系列激活點,使用鹽酸與氫氟酸將激活液的PH值控制在2~3,激活時間為20~60s,室溫下正面接觸鍍鎳液,在基體上沉積一層鎳阻擋層,使用鹽酸將鍍鎳液的PH值控制在3.5~4.5,時間為120~180s,厚度為2~4um,在電的引導下,室溫下正面接觸鍍銅液,在阻擋層上形成導電銅層,使用硫酸將鍍銅液的PH值控制在3~4,時間為20~30min,厚度為20~30um;
(4)去除保護膜:
使用去膜液將保護膜去除;
(5)沉積抗氧化保護層:
室溫下正面接觸鍍鎳液,在導電銅層表面沉積一層氧化保護層,時間為60~100s,厚度為1~2um或者在光與電的引導下沉積一層銀層作為保護層,時間為50~80s,厚度為0.5~1.5um。
3.如權利要求1所述的一種降低晶硅太陽能電池成本提高效率的方法,其特征在于:包括以下步驟:
在需要處理的晶硅太陽能電池正面沉積有減反射作用的氮化硅膜,背面印刷有鋁背場和背電極;
(1)覆蓋保護膜:
通過熱噴涂方式在氮化硅膜表面噴涂70℃的黑色石蠟,使用高頻激光器在石蠟表面開槽,開槽圖形即為需要的正面柵線圖形,開槽的寬度可以通過激光束的直徑大小來調節;
(2)在保護膜上制備柵線圖形:
電池正面接觸體積濃度為10~30%的氫氟酸腐蝕液,將開槽處的氮化硅膜去除,露出膜下的硅基體,得到正面柵線圖形,工藝完成后取出清洗;
(3)制備導電柵線:
將前一步中得到的產品的正面接觸室溫的氯化鈀激活液,在裸露的硅基體表面形成一系列激活點,使用鹽酸與氫氟酸將激活液的PH值控制在2~3,激活時間為20~60s,室溫下正面接觸鍍鎳液,在基體上沉積一層鎳阻擋層,使用鹽酸將鍍鎳液的PH值控制在3.5~4.5,時間為120~180s,厚度為2~4um,在電的引導下,室溫下正面接觸鍍銅液,在阻擋層上形成導電銅層,使用硫酸將鍍銅液的PH值控制在3~4,時間為20~30min,厚度為20~30um,工藝完成后取出清洗;
(4)去除保護膜:
使用氯仿將保護膜去除,工藝完成后取出清洗;
(5)沉積抗氧化保護層:
室溫下電池正面接觸鍍鎳液,在導電銅層表面沉積一層氧化保護層,時間為60~100s,厚度為1~2um或者在光與電的引導下沉積一層銀層作為保護層,時間為50~80s,厚度為0.5~1.5um,工藝完成后取出清洗烘干。
4.如權利要求1所述的一種降低晶硅太陽能電池成本提高效率的方法,其特征在于:包括以下步驟:
在需要處理的晶硅太陽能電池正面沉積有減反射作用的氮化硅膜,背面印刷有鋁背場和背電極;
(1)覆蓋保護膜:
在沉積有氮化硅減反射膜的表面使用滾軸壓膜工藝貼附一層干膜,壓膜溫度為120℃,速度為3.5~4m/min,放入紫外線或更短波長的曝光機中,壓膜面正對光源,用圖形轉移技術將已制作正面柵線圖形的菲林上的圖案轉移至干膜上;
其中干膜是在廣州長興干膜有限公司購買的AP3810干膜;
(2)在保護膜上制備柵線圖形:
顯影時,使用30℃,質量分數為0.5~2%的Na2CO3溶液噴灑在曝光后的電池表面,洗滌后,電池表面就形成了具有清晰的柵線電路圖形結構的干膜,工藝完成后取出清洗;
(3)制備導電柵線:
將前一步中得到的產品的正面接觸室溫的氯化鈀激活液,在裸露的硅基體表面形成一系列激活點,使用鹽酸與氫氟酸將激活液的PH值控制在2~3,激活時間為20~60s,室溫下正面接觸鍍鎳液,在基體上沉積一層鎳阻擋層,使用鹽酸將鍍鎳液的PH值控制在3.5~4.5,時間為120~180s,厚度為2~4um,在電的引導下,室溫下正面接觸鍍銅液,在阻擋層上形成導電銅層,使用硫酸將鍍銅液的PH值控制在3~4,時間為20~30min,厚度為20~30um,工藝完成后取出清洗;
(4)去除保護膜:
使用去膜液將保護膜去除,工藝完成后取出清洗;
其中去膜液是在廣州長興干膜有限公司購買的AP38系列去膜液;
(5)沉積抗氧化保護層:
室溫下正面接觸鍍鎳液,在導電銅層表面沉積一層氧化保護層,時間為60~100s,厚度為1~2um或者在光與電的引導下沉積一層銀層作為保護層,時間為50~80s,厚度為0.5~1.5um,工藝完成后取出清洗烘干。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





