[發明專利]集成電路、基于集成電路的半導體裝置和標準單元庫有效
| 申請號: | 201510434904.X | 申請日: | 2015-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN105304624B | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 白尚訓;吳祥奎;都楨湖;樸善暎;李昇映;元孝植 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 基于 半導體 裝置 標準 單元 | ||
1.一種包括至少一個單元的集成電路,對于所述至少一個單元中的每個,所述集成電路包括:
多條導線,沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此平行,第二方向與第一方向垂直;
第一接觸件,在所述多條導線中的至少一條導線的兩側中的相應的一側處并且包括在所述多條導線中的第一導線與所述至少一條導線之間的第一左接觸件;以及
第二接觸件,在所述至少一條導線和第一接觸件上,第二接觸件電連接到所述至少一條導線和第一接觸件并且與第一導線電隔離,從而第二接觸件、所述至少一條導線和第一接觸件形成單個節點。
2.如權利要求1所述的集成電路,其中,第一接觸件沿第一方向延伸,第二接觸件沿第二方向延伸。
3.如權利要求1所述的集成電路,其中,第二接觸件沿與第一接觸件垂直的方向延伸。
4.如權利要求1所述的集成電路,其中,
所述至少一個單元還包括具有不同的導電類型的第一有源區和第二有源區,其中,
第二接觸件至少在第一有源區和第二有源區中的選擇的一個上。
5.如權利要求4所述的集成電路,其中,
所述多條導線分別與多個柵電極對應,
第一有源區中的第一晶體管的數量小于第二有源區中的第二晶體管的數量。
6.如權利要求4所述的集成電路,其中,
所述多條導線分別與多個柵電極對應,
第一有源區中的第一晶體管的數量等于或大于第二有源區中的第二晶體管的數量。
7.如權利要求4所述的集成電路,其中,
所述至少一個單元還包括在第一有源區和第二有源區中的沿第二方向延伸的多個鰭,所述多個鰭沿第一方向彼此平行。
8.如權利要求7所述的集成電路,其中,
所述多條導線分別與多個柵電極對應,
所述多個鰭分別與多個鰭式晶體管對應,
所述多個鰭式晶體管的在第一有源區中的第一數量小于所述多個鰭式晶體管的在第二有源區中的第二數量。
9.如權利要求7所述的集成電路,其中,
所述多條導線分別與多個柵電極對應,
所述多個鰭分別與多個鰭式晶體管對應,
所述多個鰭式晶體管的在第一有源區中的第一數量等于或大于所述多個鰭式晶體管的在第二有源區中的第二數量。
10.如權利要求4所述的集成電路,所述集成電路還包括:
切割區,在第一有源區與第二有源區之間,切割區被構造成在第二有源區中使所述至少一條導線與單個節點絕緣。
11.如權利要求1所述的集成電路,其中,
所述至少一條導線包括第二導線和第三導線,第三導線在第二導線的第一側處,第一接觸件還包括第一右接觸件,第一左接觸件在第二導線的第二側處,第一右接觸件在第三導線的第一側處。
12.如權利要求11所述的集成電路,其中,第二接觸件在第一左接觸件、第一右接觸件、第二導線和第三導線上并且電連接到第一左接觸件、第一右接觸件、第二導線和第三導線。
13.如權利要求11所述的集成電路,其中,第一接觸件還包括:
第一中心接觸件,在第二導線與第三導線之間。
14.如權利要求13所述的集成電路,其中,第二接觸件在第一左接觸件、第一右接觸件、第一中心接觸件、第二導線和第三導線上并且電連接到第一左接觸件、第一右接觸件、第一中心接觸件、第二導線和第三導線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





