[發明專利]利用微結構實現大功率半導體激光器慢軸模式控制方法有效
| 申請號： | 201510433104.6 | 申請日： | 2015-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN104993373B | 公開（公告）日： | 2019-04-23 |
| 發明（設計）人： | 趙潤;張曉光 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H01S5/06 | 分類號： | H01S5/06;H01S5/065;H01S5/068 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 微結構 實現 大功率 半導體激光器 模式 控制 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種利用微結構實現大功率半導體激光器慢軸模式控制方法，其特征在于所述方法如下：將半導體激光器芯片(1)的注入電極(2)分成若干個矩形微元(3)，定義每個矩形微元(3)為電流注入區還是非電流注入區以及電流注入區的導電特性；通過離子注入、介質掩蔽控制各矩形微元的電流注入或不注入；
對所有的矩形微元，在縱向分布上，由激光器的后腔面到前腔面逐漸增加非電流注入區數量；在橫向分布上，在光場強的地方設計為非電流注入區或者導電特性差的電流注入區，在光場弱的地方設計為導電性好的電流注入區。
2.根據權利要求1所述的利用微結構實現大功率半導體激光器慢軸模式控制方法，其特征在于：根據半導體激光器芯片(1)的電流場、光場以及熱場間的耦合關系，設計每個矩形微元(3)為電流注入區還是非電流注入區以及電流注入區的導電特性。
3.根據權利要求1所述的利用微結構實現大功率半導體激光器慢軸模式控制方法，其特征在于：所述矩形微元(3)的長度和寬度為1微米-5微米。
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