[發明專利]一種類單晶晶體生長方法、類單晶硅錠以及類單晶電池在審
| 申請號: | 201510431714.2 | 申請日: | 2015-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN105063742A | 公開(公告)日: | 2015-11-18 |
| 發明(設計)人: | 李劍 | 申請(專利權)人: | 李劍 |
| 主分類號: | C30B11/14 | 分類號: | C30B11/14;C30B29/06;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京紐樂康知識產權代理事務所(普通合伙) 11210 | 代理人: | 張朝元 |
| 地址: | 212200 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 種類 晶體生長 方法 單晶硅 以及 類單晶 電池 | ||
1.一種類單晶晶體生長方法,其特征在于,包括:
將預先獲取的單晶晶粒組合成的類單晶作為籽晶,其中,所述單晶晶粒具有特定的晶體生長面,并且所述晶體單晶晶粒生長面的邊長、對角線或直徑尺寸均在50um到3cm之間;
在所述籽晶基礎上,通過定向凝固技術進行晶體生長,生長成類單晶。
2.根據權利要求1所述的類單晶晶體生長方法,其特征在于,所述籽晶的單晶晶粒表面的晶向包括<100>、<111>、<110>和<lmn>。
3.根據權利要求1所述的類單晶晶體生長方法,其特征在于,所述籽晶的單晶晶粒表面包括<100>、<111>、<110>和<1mn>的晶向在30度相位差內的不同晶向的晶粒組合。
4.根據權利要求1所述的類單晶晶體生長方法,其特征在于,所述籽晶內單個晶粒生長面的形狀包括正方形,矩形,四邊形,六邊形和三角形。
5.一種類單晶硅錠和硅片,其特征在于,通過權利要求1-4任意一項所述的類單晶晶體生長方法所制備得到。
6.一種類單晶電池和組件,其特征在于,通過權利要求5所述的單晶硅錠所制備得到。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于李劍,未經李劍許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510431714.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種多晶鑄錠用高效坩堝及其制備方法
- 下一篇:文物紙張污漬控制性電解清除方法





