[發明專利]堆疊器件的方法

有效

• 申請號: 201510427008.0
• 申請日: 2009-06-18
• 公開（公告）號: CN105097567B
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 王宗鼎;李建勛;陳承先;趙智杰;李明機;郭祖寬
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/52;H01L23/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供第一器件，所述第一器件包括第一穿透硅通孔(TSV)結構；

在所述第一器件上方形成第一涂層材料，其中，所述第一涂層材料在所述第一器件上方連續地延伸并且覆蓋所述第一穿透硅通孔結構；

將第二器件設置在所述第一器件上方以及所述第一涂層材料內，其中，所述第二器件包括暴露于后表面的第二穿透硅通孔結構和形成于前表面的多個導電凸點，設置所述第二器件包括所述多個導電凸點位于所述第一涂層材料內；

在所述第二器件上方形成第二涂層材料，其中，所述第二涂層材料在所述第二器件上方連續地延伸并且覆蓋所述第二穿透硅通孔結構；

將第三器件設置在所述第二涂層材料上方，其中，所述第三器件包括第三穿透硅通孔結構；

對所述第一涂層材料和所述第二涂層材料進行預處理；以及

此后，同一處理中對所述第一涂層材料和所述第二涂層材料進行固化。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，每個所述第一器件、所述第二器件和所述第三器件均包括電路；

其中，所述第一涂層材料和所述第二涂層材料均包括焊劑成分；以及

其中，響應于所述固化，利用所述第一穿透硅通孔結構、所述第二穿透硅通孔結構和所述第三穿透硅通孔結構將所述第一器件、所述第二器件和所述第三器件的電路電耦合。

3.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中，每個所述第一器件、所述第二器件和所述第三器件均是管芯。

4.根據權利要求3所述的制造半導體器件的方法，包括：

將第四器件設置在第三涂層材料上方，其中，所述第四器件包括第四穿透硅通孔結構；以及

其中，所述固化包括在與所述第一涂層材料和所述第二涂層材料相同的同一處理中對所述第三涂層材料進行固化。

5.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中，所述預處理的溫度從80℃至150℃。

6.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中，所述預處理包括將所述第一涂層材料和所述第二涂層材料加熱至比所述第一涂層材料和所述第二涂層材料的固化溫度低的溫度。

7.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，還包括：

在所述固化之后對所述第一涂層材料和所述第二涂層材料進行后處理。

8.根據權利要求7所述的制造半導體器件的方法，其中，所述后處理的溫度從100℃至200℃。

9.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中，所述固化包括溫度在200℃至300℃的熱處理。

10.一種制造堆疊半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一電路和第一穿透硅通孔(TSV)結構的第一器件；

在所述第一器件上方形成第一涂層材料，所述第一涂層材料在所述第一器件上方連續地延伸并且覆蓋所述第一穿透硅通孔結構；

在所述第一涂層材料上堆疊第二器件，所述第二器件具有第二電路、暴露于后表面的第二穿透硅通孔結構和形成于前表面的第一多個導電凸點，其中，堆疊所述第二器件促使所述第一多個導電凸點進入所述第一涂層材料；

在所述第二器件上方形成第二涂層材料，所述第二涂層材料在所述第二器件上方連續地延伸并且覆蓋所述第二穿透硅通孔結構；

在所述第二涂層材料上堆疊第三器件，所述第三器件具有第三電路和第二多個導電凸點，其中，堆疊所述第三器件促使所述第二多個導電凸點進入所述第二涂層材料；

對所述第一涂層材料和所述第二涂層材料進行預處理；以及

此后，執行熱處理，所述熱處理電耦合所述第一電路、所述第二電路和所述第三電路以形成所述堆疊半導體器件的電路，并且將所述第一涂層材料和所述第二涂層材料固化。