[發明專利]一種磨削晶圓表面腐蝕裝置有效
| 申請號: | 201510420064.1 | 申請日: | 2015-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN105023865B | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發明(設計)人: | 秦飛;孫敬龍;安彤;陳沛;宇慧平;王仲康;唐亮 | 申請(專利權)人: | 北京工業大學 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司11203 | 代理人: | 劉萍 |
| 地址: | 100124 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 尺寸 磨削 表面 腐蝕 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及半導體加工設備技術領域,具體為一種磨削晶圓表面腐蝕裝置。
背景技術
電子封裝技術不斷發展推動著電子封裝產品逐漸向薄、小、輕以及高集成方向發展。硅晶圓作為電子封裝的基底材料,為滿足封裝厚度要求,封裝前需對晶圓進行減薄。由于低損傷、高效率的優點晶圓自旋轉磨削技術已成為晶圓磨削的主流技工技術。然而,機械磨削將引起成晶圓表面損傷和產生殘余應力,殘余應力使晶圓產生翹曲變形甚至破裂,因此對磨削殘余應力的測量和表征是關鍵。殘余應力在晶圓表面層一定深度范圍內存在,目前對亞表面殘余應力的測試主要切割晶圓制作截面試樣,再檢測截面殘余應力。然而,這種方法會引入新的切割應力同時釋放掉部分磨削殘余應力。化學溶液分步腐蝕法結合拉曼光譜可以較準確獲得不同深度的殘余應力值,但由于晶圓尺寸較大,人工手動腐蝕較為繁瑣,另外腐蝕液有強烈的腐蝕性,若濺到人體會出現危險情況。因此,需要一種專門的裝置提高腐蝕效率,避免危險情況的發生。
發明內容
本發明提出一種磨削晶圓表面腐蝕裝置,可通過調節滑動腳和滑動梁對晶圓表面待腐蝕位置進行定位,快速腐蝕,實驗過程只需調動排液控制閥門即可實現對晶圓的腐蝕和清洗,安全可靠。
本發明采用如下技術方案:
一種磨削晶圓表面腐蝕裝置,其特征在于:包括:支腳、回收槽部分、吸盤支架部分、吸盤和液體承載部分;所述支腳101由支腳固定螺栓404與回收槽102連接;所述回收槽部分包括:導軌103、卡釘206、真空控制開關401、廢液排放口201、廢液排放口固定螺栓402、管道口202、管道口固定螺栓;導軌103設在回收槽102頂端兩側對稱位置;導軌103端部設有卡釘206限制滑動腳205脫離軌道;真空控制開關401、廢液排放口201、管道口202位于回收槽102底端,真空控制開關401控制吸盤105抽真空,廢液排放口固定螺栓402將廢液排放口201固定于回收槽102、管道口固定螺栓403固定管道口202;所述吸盤支架部分包括:吸盤支架底座704、吸盤支架底座螺孔705、吸盤支架柱703、吸盤支架承臺104、吸盤支架承臺螺孔、吸盤支架柱703內部設有中空管道702;吸盤支架底座704與回收槽102底部中心區域連接,吸盤支架底座螺孔705與回收槽102螺孔對齊,吸盤支架柱703連接吸盤支架底座704和吸盤支架承臺104,吸盤支架柱703設置管道702與吸盤的腔室連通,吸盤105與吸盤支架承臺104通過螺栓固結;液體承載部分包括:支柱106、橫梁107、橫梁固定螺栓108、導軌梁固定螺栓109、導軌梁110、酸液盛放槽111、酸液盛放槽固定螺栓903、清水盛放槽固定螺栓902、清水盛放槽112、滑動腳205、滴嘴207、滴嘴固定螺栓901、排液控制閥門301、滑動梁302、清水排出口1001、酸液排出口1002;滑動腳205與支柱106固結,支柱106與橫梁107通過橫梁固定螺栓108連接,橫梁107與導軌梁110由導軌梁固定螺栓109連接,酸液盛放槽111和清水盛放槽112與滑動梁302由螺栓固定,排液控制閥門301控制酸液和清水排放。
進一步,吸盤105與吸盤支架承臺104之間有密封墊。
進一步,排液控制閥門(301)控制清水排出口1001、酸液排出口1002其中一個與滴嘴207連通,或使兩者均關閉。
進一步,滴嘴207位于滑動梁302中心處。
本發明可以取得以下有益效果:
1、本發明可通過調節滑動腳和滑動梁對晶圓表面待腐蝕位置進行定位,快速腐蝕。
2、本發明只需調動排液控制閥門即可實現對晶圓的腐蝕和清洗,避免人工手動操作發生危險的情況。
3、本發明結構簡單,使用方便,安全可靠。
附圖說明:
圖1為本發明整體結構示意圖。
圖2為本發明側視結構示意圖。
圖3為本發明頂部結構示意圖。
圖4為本發明底部結構示意圖。
圖5為本發明回收槽結構示意圖。
圖6為本發明回收槽剖面結構示意圖。
圖7為本發明吸盤支架結構示意圖。
圖8為本發明液體承載部分結構示意圖。
圖9為本發明液體承載部分底面結構示意圖。
圖10為本發明液體承載部分剖面結構示意圖。
圖中:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





