[發(fā)明專利]第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510415396.0
• 申請日: 2015-07-15
• 公開（公告）號: CN105280778B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戶谷真悟
• 申請（專利權(quán)）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 蔡勝有,蘇虹

1.一種第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：

具有第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層；

設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上的發(fā)光層；

具有第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層設(shè)置在所述發(fā)光層上；

設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上的透明電極；

電連接至所述第一半導(dǎo)體層的第一電極；以及

電連接至所述第二半導(dǎo)體層的第二電極；

其中所述第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括插入在所述第二半導(dǎo)體層與所述透明電極之間的絕緣多層膜，所述絕緣多層膜包括接觸所述第二半導(dǎo)體層的第一表面和接觸所述透明電極的第二表面；

所述絕緣多層膜用作分布式布拉格反射器，并且形成在包括通過將所述第二電極投影至所述第二半導(dǎo)體層所獲得的投影區(qū)域的區(qū)中；

所述絕緣多層膜包括第一區(qū)和第二區(qū)，其中所述第一區(qū)包括厚度大于所述絕緣多層膜的最大膜厚度的95％的層，所述第二區(qū)包括厚度不大于所述絕緣多層膜的最大膜厚度的95％的層；以及

在所述第二區(qū)中所述絕緣多層膜的所述第二表面包括具有朝著所述第一表面凹陷的凹部的斜坡。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的截面中，在位于所述第二表面上并且二等分所述第二區(qū)的寬度的第一點(diǎn)處，所述絕緣多層膜的厚度為所述絕緣多層膜的最大膜厚度的5％至40％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的截面中，與位于所述第二表面上并且二等分所述第二區(qū)的寬度的第一點(diǎn)相比，在所述絕緣多層膜的厚度為最大膜厚度的1/2處的第二點(diǎn)位于更靠近所述第一區(qū)處。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的截面中，與位于所述第二表面上并且二等分所述第二區(qū)的寬度的所述第一點(diǎn)相比，在所述絕緣多層膜的厚度為最大膜厚度的1/2處的第二點(diǎn)位于更靠近所述第一區(qū)處。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的截面中，第一角的角度θ1比第二角的角度θ2大≥5°，其中所述第一角形成在第一線與所述絕緣多層膜的所述第一表面之間，所述第一線為將位于所述第二表面上并且二等分所述第二區(qū)的寬度的第一點(diǎn)連接至位于所述第二表面上并且對應(yīng)于最大膜厚度的95％的第一端部的線，所述第二角形成在第二線與所述絕緣多層膜的所述第一表面之間，所述第二線為連接所述第一點(diǎn)與位于所述絕緣多層膜的外圍處的第二端部的線。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的截面中，第一角的角度θ1比第二角的角度θ2大≥5°，其中所述第一角形成在第一線與所述絕緣多層膜的所述第一表面之間，所述第一線為將二等分所述第二區(qū)的寬度的所述第一點(diǎn)連接至位于所述第二表面上并且對應(yīng)于最大膜厚度的95％的第一端部的線，所述第二角形成在第二線與所述絕緣多層膜的所述第一表面之間，所述第二線為連接所述第一點(diǎn)與位于所述絕緣多層膜的外圍處的第二端部的線。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的截面中，第一角的角度θ1比第二角的角度θ2大≥5°，其中所述第一角形成在第一線與所述絕緣多層膜的所述第一表面之間，所述第一線為將二等分所述第二區(qū)的寬度的所述第一點(diǎn)連接至位于所述第二表面上并且對應(yīng)于最大膜厚度的95％的第一端部的線，所述第二角形成在第二線與所述絕緣多層膜的所述第一表面之間，所述第二線為連接所述第一點(diǎn)與位于所述絕緣多層膜的外圍處的第二端部的線。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，在正交于所述第一表面并且包括所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的截面中，第一角的角度θ1比第二角的角度θ2大≥5°，其中所述第一角形成在第一線與所述絕緣多層膜的所述第一表面之間，所述第一線為將二等分所述第二區(qū)的寬度的所述第一點(diǎn)連接至位于所述第二表面上并且對應(yīng)于最大膜厚度的95％的第一端部的線，所述第二角形成在第二線與所述絕緣多層膜的所述第一表面之間，所述第二線為連接所述第一點(diǎn)與位于所述絕緣多層膜的外圍處的第二端部的線。