[發明專利]用于薄膜晶體管的鋁基板

在審

• 申請號: 201510409901.0
• 申請日: 2015-04-30
• 公開（公告）號: CN105070721A
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發明（設計）人: T·L·萊文達斯基;K·沙;M·格雷戈里;J·S·范布魯克霍芬;M·K·哈塔利斯
• 申請（專利權）人: 美鋁公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王海寧

1.—種器件，包括：

a.由再結晶鋁合金構成的基板；

b.位于該鋁基板的頂表面上的有機聚合物；

c.位于該有機聚合物上的SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的層；以及

d.至少一個電極，其附著于所述SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的層。

2.如權利要求1的器件，其中該基板包括下列之一：AA1xxx、3xxx、5xxx和8xxx。

3.如權利要求1的器件，其中所述再結晶鋁合金具有0狀態。

4.如權利要求1的器件，其中所述有機聚合物具有在800至2000道爾頓范圍內的分子量。

5.如權利要求1的器件，其中所述有機聚合物具有在1000至2000道爾頓范圍內的分子量。

6.如權利要求1的器件，其中所述有機聚合物包括下列中的—種：環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯和乙烯基樹脂。

7.如權利要求1的器件，其中所述基板具有在0.005英寸-0.020英寸的范圍內的厚度。

8.如權利要求1的器件，其中所述基板具有在0.006英寸-0.020英寸的范圍內的厚度。

9.如權利要求1的器件，其中所述有機聚合物具有在2.5-50微米的范圍內的厚度。

10.如權利要求1的器件，其中所述有機聚合物具有在5-12微米的范圍內的厚度。

11.如權利要求1的器件，其中所述SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的層具有在750-1500埃范圍內的厚度。

12.如權利要求1的器件，其中所述SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的層具有在1000-1250埃范圍內的厚度。

13.如權利要求1的器件，其中該器件包括薄膜晶體管。

14.—種方法，包括：

a.在鋁基板上沉積有機聚合物；

b.退火該鋁基板；

c.在該有機聚合物上沉積SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的層；以及

d.將電極附著至所述SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的層。

15.如權利要求17的方法，其中該鋁基板包括：

a.頂表面；以及

b.頂表面上的孔。

16.如權利要求17的方法，其中所述鋁基板在退火前具有H狀態并且在退火后具有0狀態。

17.如權利要求17的方法，其中退火包括將鋁基板加熱到550°F至650°F范圍內的溫度持續2小時至4小時。

18.如權利要求17的方法，其中沉積有機聚合物包括下列之一：輥涂、逆向輥涂、狹縫模具式涂覆、幕涂和噴涂。

19.如權利要求17的方法，其中沉積所述SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的層包括RF濺射。

20.如權利要求17的方法，該方法還包括：在步驟a.在鋁基板上沉積有機聚合物之前，精加工該鋁基板以具有25至100nm范圍內的Ra值。