[發(fā)明專利]SF6放電模擬平臺在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510370265.5 | 申請日: | 2015-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN104914369A | 公開(公告)日: | 2015-09-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 石磊;董方周;王立永;劉宏景;張琛;車瑤 | 申請(專利權(quán))人: | 國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)北京市電力公司 |
| 主分類號: | G01R31/12 | 分類號: | G01R31/12 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 趙囡囡;吳貴明 |
| 地址: | 100031 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | sf sub 放電 模擬 平臺 | ||
1.一種SF6放電模擬平臺,其特征在于,所述放電模擬平臺包括:
SF6放電室(10),內(nèi)部設(shè)置有人工模擬缺陷(30),且所述SF6放電室(10)設(shè)置有氣體口(11);
高壓套管(20),與所述人工模擬缺陷(30)相連,且延伸至所述SF6放電室(10)的外面;
PD脈沖信號監(jiān)測系統(tǒng)(40),與所述SF6放電室(10)相連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SF6放電模擬平臺,其特征在于,所述SF6放電模擬平臺還包括:
高壓交流無暈試驗(yàn)電源,連接于所述高壓套管(20)的上部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SF6放電模擬平臺,其特征在于,所述SF6放電模擬平臺還包括:
放電電極,與所述SF6放電室(10)相連,并設(shè)置于所述SF6放電室(10)的下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SF6放電模擬平臺,其特征在于,所述放電電極為內(nèi)部氣隙電極、空氣間隙電極、針板電極或沿面放電電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SF6放電模擬平臺,其特征在于,所述高壓套管(20)的額定電壓為110kV,額定電流為630A。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SF6放電模擬平臺,其特征在于,所述SF6放電模擬平臺還包括:
氣壓表,安裝在所述氣體口(11)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SF6放電模擬平臺,其特征在于,所述SF6放電模擬平臺還包括:
密度計(jì),安裝在所述氣體口(11)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SF6放電模擬平臺,其特征在于,所述SF6放電模擬平臺的使用壓力為0.1-0.6MPa,所述SF6放電模擬平臺的整體泄漏率小于0.5%/年。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)北京市電力公司,未經(jīng)國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)北京市電力公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510370265.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法





