[發(fā)明專利]表面覆蓋TiN?納米TiO2膜的電子裝置殼體及其加工方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510369913.5
• 申請(qǐng)日: 2015-06-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105177516B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鮑必輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 溫州市科泓機(jī)器人科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02;H05K5/02
• 代理公司: 溫州甌越專利代理有限公司33211
• 代理人: 姜飛

1.表面覆蓋TiN-納米TiO₂膜的電子裝置殼體的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S100：對(duì)陶瓷基體（101）進(jìn)行表面處理；

步驟S200：將經(jīng)過(guò)表面處理的陶瓷基體（101）穩(wěn)固置于磁控濺射機(jī)的托盤(pán)上，通過(guò)傳輸裝置將陶瓷基體（101）輸送至安裝有金屬鈦靶的真空室；

步驟S300：關(guān)閉真空室的出入口，抽真空至3× 10^-4—5× 10^-4Pa，通入氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w；

步驟S400：在功率為50-200W，偏壓120-160V，靶距30-40mm，陶瓷基體（101）溫度30-300℃的工藝條件下進(jìn)行濺射，控制濺射時(shí)間為20-60min；

步驟S500：緩慢開(kāi)啟真空室使其與室外空氣連通，再重新抽取真空度至5× 10^-4—8× 10^-4Pa，通入氬氣和氧氣的混合氣體；

步驟S600：在功率為3000-4000W，無(wú)偏壓，靶距30-40mm的工藝條件下進(jìn)行濺射，控制濺射時(shí)間為40-400min。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面覆蓋TiN-納米TiO₂膜的電子裝置殼體的加工方法，其特征在于：所述步驟S100具體是指以下流程：

步驟S110：將陶瓷基體（101）放入水溫60-80℃的水域中靜置1-2h；

步驟S120：將陶瓷基體（101）放入配置20-50%丙酮溶液的清洗槽中，采用超聲波清洗10-20min；

步驟S130：用流動(dòng)的去離子水沖洗陶瓷基體（101），去除丙酮溶液；

步驟S140：取出陶瓷基體（101）并用冷風(fēng)將其表面吹干，待用。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面覆蓋TiN-納米TiO₂膜的電子裝置殼體的加工方法，其特征在于：所述步驟S200具體是指操作人員佩戴無(wú)塵手套或使用潔凈取件器將經(jīng)過(guò)表面處理的陶瓷基體（101）擺放在托盤(pán)中，由磁控濺射機(jī)配置的傳輸裝置將其運(yùn)輸至指定位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面覆蓋TiN-納米TiO₂膜的電子裝置殼體的加工方法，其特征在于：所述步驟S300具體是指先用機(jī)械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8× 10^-4—4.2× 10^-4Pa，氬氣的分壓為0.4-1.6Pa，氮?dú)獾姆謮簽?.02-0.02Pa。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面覆蓋TiN-納米TiO₂膜的電子裝置殼體的加工方法，其特征在于：所述步驟S400具體是指在功率115W，偏壓140V，靶距35mm，陶瓷基體（101）溫度200℃的工藝條件下進(jìn)行濺射，控制濺射時(shí)間40min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面覆蓋TiN-納米TiO₂膜的電子裝置殼體的加工方法，其特征在于：所述步驟S500具體是指重新用機(jī)械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8× 10^-4—6.2× 10^-4Pa，氬氣的分壓為0.4-2.8Pa，氧氣的分壓為0.01-0.025Pa。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的表面覆蓋TiN-納米TiO₂膜的電子裝置殼體的加工方法，其特征在于：所述步驟S600具體是指在功率3500W，偏壓0V，靶距35mm的工藝條件下進(jìn)行濺射，控制濺射時(shí)間40-160min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面覆蓋TiN-納米TiO₂膜的電子裝置殼體的加工方法，其特征在于：所述氬氣作為濺射氣體，其純度大于99.999%；所述氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣，其純度大于99.99%；所述氧氣作為反應(yīng)氣，其純度大于99.9%。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的表面覆蓋TiN-納米TiO₂膜的電子裝置殼體的加工方法，其特征在于：所述金屬鈦靶的純度大于99.96%。