[發明專利]一種超級電容器用高取向石墨烯薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201510366344.9 | 申請日： | 2015-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN104916459B | 公開（公告）日： | 2018-01-02 |
| 發明（設計）人： | 李耀剛;邵元龍;王宏志;張青紅 | 申請（專利權）人： | 東華大學 |
| 主分類號： | H01G11/86 | 分類號： | H01G11/86 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所31233 | 代理人： | 黃志達 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 超級 電容 器用 取向 石墨 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種超級電容器用高取向石墨烯薄膜的制備方法，包括：
(1)將氧化石墨進行洗滌，然后加入去離子水中，得到懸浮液，超聲、離心，然后將上清液旋轉蒸發，得到氧化石墨漿料；
(2)將氧化石墨漿料刮涂在銅箔表面，制得氧化石墨薄膜，然后進行照射還原處理，即得高取向石墨烯薄膜；其中氧化石墨漿料刮涂在銅箔表面具體為：將表面清洗好的銅箔吸附于刮涂機表面，將刮涂刀具設定厚度，啟動刮涂機將氧化石墨漿料刮涂在銅箔表面；照射還原處理為：置于氙燈下10～20cm處照射還原3-12h。
2.根據權利要求1所述的一種超級電容器用高取向石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中洗滌為去離子水洗滌2-4次。
3.根據權利要求1所述的一種超級電容器用高取向石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中懸浮液的濃度為0.5～6mg/mL。
4.根據權利要求1所述的一種超級電容器用高取向石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中超聲時間為1-3h。
5.根據權利要求1所述的一種超級電容器用高取向石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中離心為：2500～3500r/min條件下離心10～40min。
6.根據權利要求1所述的一種超級電容器用高取向石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中旋轉蒸發為40～55℃條件下旋轉蒸發。
7.根據權利要求1所述的一種超級電容器用高取向石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中刮涂刀具設定厚度為50～200μm。
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