[發(fā)明專利]提取有機發(fā)光器件的相關(guān)曲線的系統(tǒng)和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510348819.1 | 申請日： | 2015-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN105225621B | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 戈爾拉瑪瑞扎·恰吉 | 申請（專利權(quán)）人： | 伊格尼斯創(chuàng)新公司 |
| 主分類號： | G09G3/00 | 分類號： | G09G3/00;G09G3/3225 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陳桂香 |
| 地址： | 加拿大*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 提取 有機 發(fā)光 器件 相關(guān) 曲線 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種用于確定多個基于陣列的半導(dǎo)體器件中的有機發(fā)光器件(OLED)的效率劣化的方法，所述基于陣列的半導(dǎo)體器件具有像素的陣列，且所述像素包括OLED，所述方法包括：
確定每個所述基于陣列的半導(dǎo)體器件中的所述OLED的電學(xué)運行參數(shù)的變化與所述OLED的所述效率劣化之間的關(guān)系；
使用所述基于陣列的半導(dǎo)體器件之中的被選定的一者的所確定的關(guān)系來確定所述OLED的所述效率劣化；并且
補償所述效率劣化，
其中，所述基于陣列的半導(dǎo)體器件中的所述OLED的所述電學(xué)運行參數(shù)的變化與所述OLED的所述效率劣化之間的所述關(guān)系是通過使用與每個所述基于陣列的半導(dǎo)體器件相關(guān)的測試OLED來確定的，
所述方法還包括：
生成OLED關(guān)聯(lián)性曲線的庫，所述OLED關(guān)聯(lián)性曲線將來自所述基于陣列的半導(dǎo)體器件中的所述測試OLED的所述OLED電學(xué)信號與所述基于陣列的半導(dǎo)體器件中的所述測試OLED的所述效率劣化關(guān)聯(lián)起來；
測量被選定的所述基于陣列的半導(dǎo)體器件中的所述測試OLED；
識別所述庫中的與所述被選定的基于陣列的半導(dǎo)體器件中的所述測試OLED的測量相對應(yīng)的所述關(guān)聯(lián)性曲線，其中，所識別的所述關(guān)聯(lián)性曲線是所述庫中的具有與所測量的所述測試OLED最接近的老化特性的曲線，且
將所識別的所述關(guān)聯(lián)性曲線的老化特性和所測量的所述測試OLED的老化特性之間的差異與預(yù)定閾值進行比較，如果所述差異超過所述預(yù)定閾值，則計算新的相關(guān)性曲線，并將所述新的相關(guān)性曲線添加到所述庫中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述測試OLED位于所相關(guān)的所述基于陣列的半導(dǎo)體器件的基板上。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所確定的所述關(guān)系是OLED關(guān)聯(lián)性曲線，所述OLED關(guān)聯(lián)性曲線將來自被選定的所述基于陣列的半導(dǎo)體器件中的所述測試OLED的OLED電學(xué)信號與所述測試OLED的所述效率劣化關(guān)聯(lián)起來。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述關(guān)系是在制造每個所述基于陣列的半導(dǎo)體器件時被確定的。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法包括：
如果所述差異小于所述預(yù)定閾值，使用所識別的所述關(guān)聯(lián)性曲線來確定所述基于陣列的半導(dǎo)體器件中的所述OLED的老化特性。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，
如果所述差異小于所述預(yù)定閾值，則使用所識別的所述相關(guān)性曲線來補償包括所測量的所述測試OLED的顯示器的所述效率劣化。
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