[發明專利]一種半導體激光器疊陣結構

有效

• 申請號: 201510342912.1
• 申請日: 2015-06-19
• 公開（公告）號: CN105322432B
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發明（設計）人: 程東明
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01S5/40
• 代理公司: 鄭州中原專利事務所有限公司 41109
• 代理人: 霍彥偉;李想

1.一種半導體激光器疊陣結構，包括至少一個半導體激光列陣模塊（8），所述半導體激光列陣模塊（8）包括P電極（81）和N電極（82），在P電極（81）和N電極（82）之間封裝有絕緣片（84）和列陣芯片（83)，其特征在于：所述半導體激光器疊陣結構還包括水槽模塊（7），水槽模塊（7）內設置完全隔離的第一水槽（3）和第二水槽（4），第一水槽（3）和第二水槽（4）的一端分別連接外部冷水源的進水口和出水口，與進水口相連的第一水槽（3）上開有至少一個流入孔，與出水口相連的第二水槽（4）上開有至少一個流出孔，流入孔和流出孔一一對應；所述半導體激光列陣模塊的P電極（81）中心設置一個U型通道（1），U型通道（1）的兩個通道口分別與槽體上設置的流入孔和流出孔相連接。

2.根據權利要求1所述的半導體激光器疊陣結構，其特征在于：所述U型通道（1）的兩個通道口處均設置螺紋（2），U型通道（1）的兩個通道口通過中空螺絲釘與一一對應的流入孔和流出孔相連。

3.根據權利要求1所述的半導體激光器疊陣結構，其特征在于：所述第一水槽（3）和第二水槽（4）的一端分別通過銅管Ⅰ（6）和銅管Ⅱ（5）連接外部冷水源，所述外部冷水源為冷水機。

4.根據權利要求1所述的半導體激光器疊陣結構，其特征在于：所述第一水槽（3）和第二水槽（4）由無氧銅或者陶瓷或者鋁或者不銹鋼加工而成。

5.根據權利要求4所述的半導體激光器疊陣結構，其特征在于：在所述第一水槽（3）和第二水槽（4）的外部使用鋁板或銅板或不銹鋼板或陶瓷片密封形成水槽模塊（7）。

6.根據權利要求1所述的半導體激光器疊陣結構，其特征在于：所述半導體激光列陣模塊的數目與流入孔或者流出孔的數目相同。

7.根據權利要求1所述的半導體激光器疊陣結構，其特征在于：所述半導體激光器陣列模塊的P電極厚度為2-8mm。

8.根據權利要求1所述的半導體激光器疊陣結構，其特征在于：所述半導體激光列陣模塊的P電極和N電極采用無氧銅制成。