[發(fā)明專利]嵌入式封裝裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510341381.4
• 申請日: 2015-06-18
• 公開（公告）號: CN105529317B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李芃昕;蔡欣昌;李嘉炎
• 申請（專利權(quán)）人: 臺達(dá)電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/498;H01L23/367;H01L25/00
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;趙根喜

一種嵌入式封裝裝置，包括導(dǎo)線架、第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件、無源元件以及第一介電層。導(dǎo)線架形成有沉孔。第一半導(dǎo)體元件及第二半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架上，并透過導(dǎo)線架相互電性連接。第二半導(dǎo)體元件與第一半導(dǎo)體元件具有不同厚度，且第一半導(dǎo)體元件或第二半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架的沉孔內(nèi)，使得第二半導(dǎo)體元件及第一半導(dǎo)體元件的上表面具有相同高度。無源元件設(shè)置于導(dǎo)線架上。第一介電層形成于導(dǎo)線架上，且覆蓋第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件及無源元件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種嵌入式封裝裝置；特別關(guān)于一種嵌入式封裝裝置，包括至少兩個具有不同厚度的電子元件。

背景技術(shù)

嵌入式電子封裝技術(shù)(embedded electronic packaging technologies)可降低裝置的尺寸及成本，且對于各式電子產(chǎn)品皆具有高整合能力，因此發(fā)展相當(dāng)快速。

然而，對現(xiàn)有的嵌入式封裝技術(shù)而言，封裝多個具有不同厚度的電子元件仍為一挑戰(zhàn)。舉例來說，為了覆蓋及電性隔離該些具有不同厚度的電子元件，需要提供具有較大厚度的介電層(dielectric layer)，如此將妨礙嵌入式封裝裝置的微型化。此外，由于該些電子元件具有不同厚度，因而亦導(dǎo)致嵌入式封裝裝置的內(nèi)部線路層(internal wiringlayer)的制作變得復(fù)雜。再者，傳統(tǒng)嵌入式封裝裝置的熱量逸散能力亦不佳。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于前述現(xiàn)有問題點，本發(fā)明一實施例中提供一種嵌入式封裝裝置，包括一導(dǎo)線架、一第一半導(dǎo)體元件、一第二半導(dǎo)體元件、一無源元件、一第一介電層、多個第一導(dǎo)電柱以及一第一導(dǎo)電膜。第一半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架上。第二半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架上，且電性連接第一半導(dǎo)體元件。無源元件設(shè)置于導(dǎo)線架上，且電性連接第一半導(dǎo)體元件及第二半導(dǎo)體元件。第一介電層形成于導(dǎo)線架上，且覆蓋第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件及無源元件。多個第一導(dǎo)電柱形成于第一介電層中。第一導(dǎo)電膜形成于第一介電層上，且透過該些第一導(dǎo)電柱電性連接第二半導(dǎo)體元件及導(dǎo)線架的至少其中之一。其中，第一半導(dǎo)體元件及第二半導(dǎo)體元件的至少其中之一以覆晶方式安裝于導(dǎo)線架上。

本發(fā)明另一實施例中提供一種嵌入式封裝裝置，包括一導(dǎo)線架、一第一半導(dǎo)體元件、一第二半導(dǎo)體元件、一無源元件以及一第一介電層。導(dǎo)線架形成有一沉孔。第一半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架上。第二半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架上，且透過導(dǎo)線架電性連接第一半導(dǎo)體元件。其中，第二半導(dǎo)體元件及第一半導(dǎo)體元件具有不同厚度，且第一半導(dǎo)體元件或第二半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架的沉孔內(nèi)，使得第二半導(dǎo)體元件及第一半導(dǎo)體元件的上表面具有相同高度。無源元件設(shè)置于導(dǎo)線架上。第一介電層形成于導(dǎo)線架上，且覆蓋第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件及無源元件。

本發(fā)明另一實施例中提供一種嵌入式封裝裝置，包括一導(dǎo)線架、一高電壓開關(guān)、一低電壓開關(guān)、一無源元件、一第一介電層、多個第一導(dǎo)電柱以及一第一導(dǎo)電膜。導(dǎo)線架具有一第一部分、一第二部分、一第三部分及一第四部分。高電壓開關(guān)設(shè)置于導(dǎo)線架上，且具有與導(dǎo)線架的第一部分電性連接的一第一漏極接墊、與導(dǎo)線架的第二部分電性連接的一第一柵極接墊及與導(dǎo)線架的第三部分電性連接的一第一源極接墊。低電壓開關(guān)設(shè)置于導(dǎo)線架上，且具有與導(dǎo)線架的第三部分電性連接的一第二漏極接墊、與導(dǎo)線架的第四部分電性連接的一第二柵極接墊及與導(dǎo)線架的第二部分電性連接的一第二源極接墊。無源元件設(shè)置于導(dǎo)線架上，且具有與導(dǎo)線架的第二部分電性連接的一第一端子及與導(dǎo)線架的第三部分電性連接的一第二端子。第一介電層形成于導(dǎo)線架上，且覆蓋高電壓開關(guān)、低電壓開關(guān)及無源元件。多個第一導(dǎo)電柱形成于第一介電層中。第一導(dǎo)電膜形成于第一介電層上，且透過該些第一導(dǎo)電柱電性連接低電壓開關(guān)及導(dǎo)線架。

為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1表示根據(jù)本發(fā)明一實施例的嵌入式封裝裝置的爆炸圖。

圖2表示圖1中的導(dǎo)線架、第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件及無源元件的放大圖。