[發明專利]嵌入式封裝裝置

有效

• 申請號: 201510341381.4
• 申請日: 2015-06-18
• 公開（公告）號: CN105529317B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 李芃昕;蔡欣昌;李嘉炎
• 申請（專利權）人: 臺達電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/498;H01L23/367;H01L25/00
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;趙根喜

1.一種嵌入式封裝裝置，包括：

一導線架；

一第一半導體元件，設置于該導線架上；

一第二半導體元件，設置于該導線架上，且電性連接該第一半導體元件；

一無源元件，設置于該導線架上，且電性連接該第一半導體元件及該第二半導體元件；

一第一介電層，形成于該導線架上，且覆蓋該第一半導體元件、該第二半導體元件及該無源元件；

多個第一導電柱，形成于該第一介電層中；以及

一第一導電膜，形成于該第一介電層上，且透過該些第一導電柱電性連接該第二半導體元件及該導線架的至少其中之一；

其中，該第一半導體元件及該第二半導體元件的至少其中之一以覆晶方式安裝于該導線架上。

2.如權利要求1所述的嵌入式封裝裝置，還包括：

一第二介電層，形成于該第一介電層上，且覆蓋該第一導電膜；

多個第二導電柱，形成于該第二介電層中，且電性連接該些第一導電柱的一部分；以及

一第二導電膜，形成于該第二介電層上，且透過該些第二導電柱及該些第一導電柱的該部分電性連接該第一半導體元件。

3.如權利要求1所述的嵌入式封裝裝置，其中該第一半導體元件為具有一第一源極接墊、一第一漏極接墊及一第一柵極接墊的一高電壓開關，該第二半導體元件為具有一第二源極接墊、一第二漏極接墊及一第二柵極接墊的一低電壓開關。

4.如權利要求3所述的嵌入式封裝裝置，其中該高電壓開關具有多個并聯的高電壓晶體管，且每一個高電壓晶體管具有與該第一源極接墊電性連接的一第一源極、與該第一漏極接墊電性連接的一第一漏極及與該第一柵極接墊電性連接的一第一柵極，其中該低電壓開關具有多個并聯的低電壓晶體管，且每一個低電壓晶體管具有與該第二源極接墊電性連接的一第二源極、與該第二漏極接墊電性連接的一第二漏極及與該第二柵極接墊電性連接的一第二柵極。

5.如權利要求3所述的嵌入式封裝裝置，其中該導線架具有一第一部分、一第二部分、一第三部分及一第四部分，該導線架的該第一部分電性連接該第一漏極接墊，該導線架的該第二部分電性連接該第一柵極接墊及該第二源極接墊，該導線架的該第三部分電性連接該第一源極接墊及該第二漏極接墊，且該導線架的該第四部分電性連接該第二柵極接墊。

6.如權利要求5所述的嵌入式封裝裝置，其中該第一導電膜具有一第一部分及一第二部分，該第一導電膜的該第一部分電性連接該第二柵極接墊，且該第一導電膜的該第二部分電性連接該第二源極接墊。

7.如權利要求6所述的嵌入式封裝裝置，其中該第一導電膜還具有一第三部分，且該第一導電膜的該第三部分電性連接該第二源極接墊。

8.如權利要求4所述的嵌入式封裝裝置，其中該高電壓開關為一橫向型元件，且該些高電壓晶體管為含氮的高電子移動率晶體管。

9.如權利要求4所述的嵌入式封裝裝置，其中該低電壓開關為具有相對的一第一表面及一第二表面的一縱向型元件，該第二漏極接墊設置于鄰近于該導線架的該第二表面上，且該第二源極接墊及該第二柵極接墊設置于該第一表面上。

10.如權利要求3所述的嵌入式封裝裝置，其中該無源元件具有一第一端子及一第二端子，該第一端子電性連接該第二漏極接墊及該第一源極接墊，且該第二端子電性連接該第二源極接墊及該第一柵極接墊。

11.如權利要求3所述的嵌入式封裝裝置，其中該第一源極接墊及該第二漏極接墊透過該導線架電性連接，且該第一柵極接墊及該第二源極接墊透過該導線架及該些第一導電柱電性連接。

12.如權利要求3所述的嵌入式封裝裝置，還包括一驅動芯片，設置于該導線架上，且電性連接該第二柵極接墊。