[發明專利]太陽能電池及其制作方法在審
| 申請號: | 201510332521.1 | 申請日: | 2015-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN105023959A | 公開(公告)日: | 2015-11-04 |
| 發明(設計)人: | 詹鋒;倪海橋;盧偉勝;裴康明;牛智川 | 申請(專利權)人: | 廣西大學 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣西南寧公平專利事務所有限責任公司 45104 | 代理人: | 楊立華 |
| 地址: | 530004 廣西壯族*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制作方法 | ||
1.一種太陽能電池,包括上下電極結構,其特征在于該太陽能電池的襯底背面具有補充性的正、負電極。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于:所述襯底為半導體襯底,在襯底正面形成發射區,在襯底背面分別形成互相間隔的發射區和基區。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池,其特征在于:所述襯底正面的發射區形成低遮擋的上電極,襯底背面的發射區和基區分別形成不同極性的電極。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池,其特征在于該太陽能電池的正面制備織構面以及形成鈍化膜和減反射膜,電池背面形成鈍化膜。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池,其特征在于:所述電池背面覆蓋導電薄膜,且襯底背面的發射區和基區分別連接的導電薄膜之間是隔離的。
6.權利要求5所述太陽能電池的制作方法,其特征在于:采用淺摻雜的n或p型單晶硅或多晶硅材料用作半導體襯底;采用腐蝕或刻蝕法形成電池正面的織構面;電池正面的發射區采用高溫摻雜擴散法制得;所述電池正面電極區的局部高濃度摻雜利用掩膜層來進行電極區局部擴散,或采用在電極區絲網印刷高濃度漿料加高溫局部擴散法,或在表面均勻涂源進行擴散加選擇性腐蝕法;采用熱氧化法或PECVD生成正面鈍化膜和減反射膜;采用絲網印刷燒結法制作電池的上電極。
7.權利要求6所述太陽能電池的制作方法,其特征在于:采用掩膜層來進行電極區局部擴散或采用在電極區絲網印刷高濃度漿料加高溫局部擴散來實現電池背面的發射區和基區具有不同的n型和p型摻雜,其形狀為柵狀或點狀;背面電極或導電薄膜采用絲網印刷燒結法制作,或采用電子束蒸發鍍膜,然后經過刻蝕工藝隔離;采用熱氧化法或PECVD生成背面鈍化膜或絕緣層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





