[發(fā)明專利]一種硫屬化合物/金屬氧化物核殼納米柱陣列的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201510332316.5
• 申請日: 2015-06-16
• 公開（公告）號: CN105448525A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 王金斌;張苗;鐘向麗;田自然;宋宏甲
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: H01G9/20
• 分類號: H01G9/20;H01G9/042
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硫屬化合物/金屬氧化物核殼納米柱陣列的制備方法，其特征在于包含以下步驟：

(1)將分析純的可溶性金屬鹽溶于去離子水中，配制成濃度為0.01~0.5mol/L的金屬鹽溶液；

(2)按照金屬鹽離子與緩釋性硫或硒源相同摩爾比例，向步驟(1)所述溶液中加入緩釋型硫或硒源，攪拌1~15分鐘，得到0.01~0.5mol/L的硫屬化合物的弱電離前驅體溶液；

(3)向上述弱電離前驅體溶液中滴加保護劑；

(4)在摻氟的二氧化錫透明導電玻璃上制備整齊排列的金屬氧化物納米柱陣列，將其浸入上述加入保護劑的弱電離前驅體溶液中；

(5)將步驟(4)所獲得的整體固-液系統(tǒng)置于超聲水浴環(huán)境中，利用超聲波誘導上述前驅體溶液產(chǎn)生高速微射流沖擊金屬氧化物納米柱，激發(fā)化學反應使得硫屬化合物在金屬氧化物納米柱表面形核、生長，同時振掉與納米柱陣列結合性不好的物質提高硫屬化合物在金屬氧化物納米柱表面的附著性；

(6)持續(xù)上述超聲過程3~30分鐘后，取出樣品，用去離子水沖洗1~2分鐘，放于干燥箱中干燥得到硫屬化合物/金屬氧化物核殼納米柱陣列結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種硫屬化合物/金屬氧化物核殼納米柱陣列的制備方法，其特征在于：所述金屬氧化物納米柱陣列為ZnO納米柱陣列或SnO₂納米柱陣列或TiO₂納米柱陣列。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種硫屬化合物/金屬氧化物核殼納米柱陣列的制備方法，其特征在于：步驟(1)所述的可溶性金屬鹽為硝酸鎘、硫酸鎘、氯化鎘、醋酸鎘、硝酸鉛、硫酸鉛、氯化鉛、醋酸鉛中的一種或幾種。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種硫屬化合物/金屬氧化物核殼納米柱陣列的制備方法，其特征在于：步驟(2)所述的硫或硒源為硫脲、硒脲、硫代乙酰胺、硫代硫酸鈉、硒代硫酸鈉中的一種。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種硫屬化合物/金屬氧化物核殼納米柱陣列的制備方法，其特征在于：步驟(3)所述的保護劑為巰基乙酸、巰基丙酸、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氨水中的一種或幾種。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種硫屬化合物/金屬氧化物核殼納米柱陣列的制備方法，其特征在于：步驟(5)所述的超聲水浴環(huán)境為超聲頻率22~50kHz，超聲功率20~100W，水浴溫度20~80℃。