[發明專利]有機發光二極管OLED顯示器件和裝置有效
| 申請號: | 201510320106.4 | 申請日: | 2015-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN105097876B | 公開(公告)日: | 2018-07-10 |
| 發明(設計)人: | 閆光;吳長晏 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 張所明 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功能層 發光層 第一電極 有機發光二極管 第二電極 混色 基板 下層 上層 并列設置 像素 | ||
1.一種有機發光二極管OLED顯示器件,其特征在于,所述器件包括:
基板以及形成在所述基板上的n個OLED顯示單元;n為大于1的整數;
所述OLED顯示單元包括:第一電極、第一功能層、第二電極、第二功能層以及位于所述第一功能層和所述第二功能層之間的第一發光層和第二發光層;所述第一功能層位于所述第一電極的上層,且所述第二功能層位于所述第二電極的下層;或者,所述第一功能層位于所述第一電極的下層,且所述第二功能層位于所述第二電極的上層;
其中,所述第一發光層和所述第二發光層在水平方向上并列設置,且每個發光層分別對應于所述OLED顯示單元中的至少兩個子像素,
所述第一電極包括m個組成部分,所述m個組成部分在所述水平方向上并列設置,且所述m個組成部分的厚度包括第一厚度和第二厚度,所述第一厚度大于所述第二厚度;所述m個組成部分中的每個組成部分對應一個子像素,所述第二發光層對應的至少兩個子像素對應的組成部分為:第一厚度的組成部分和第二厚度的組成部分。
2.根據權利要求1所述的器件,其特征在于,
其中,所述m個組成部分中,與所述第一電極中的預設組成部分正對的所述第二電極的遠離發光層的一側設置有色轉換層;所述m個組成部分所對應的m個子像素以RGBG、GRGB、BGRG或GBGR作為重復單元循環排列。
3.根據權利要求2所述的器件,其特征在于,
子像素R和子像素G所對應的組成部分的厚度為所述第一厚度;子像素B所對應的組成部分的厚度為所述第二厚度。
4.根據權利要求2所述的器件,其特征在于,所述m為4;
所述4個組成部分中的相鄰的兩個組成部分所對應的子像素共用所述第一發光層,所述4個組成部分中相鄰的另兩個組成部分所對應的子像素共用所述第二發光層,其中共用所述第一發光層的子像素包括R子像素和G子像素,共用所述第二發光層的子像素包括B子像素和G子像素;所述OLED顯示單元還包括位于所述第一電極和所述第二電極之間的預設寬度范圍內的輔助層;所述預設寬度范圍為所述第一發光層所對應的寬度范圍,所述輔助層具有預設厚度;
當所述m個子像素以RGBG為重復單元循環排列時,第一個組成部分、第二個組成部分、第三個組成部分和第四個組成部分分別對應RGBG重復單元中順序排列的R子像素、G子像素、B子像素和G子像素,所述第一個組成部分、所述第二個組成部分和第三個組成部分的厚度為所述第二厚度;第四個組成部分的厚度為所述第一厚度;
當所述m個子像素以BGRG為重復單元循環排列時,所述第一個組成部分、第二個組成部分、第三個組成部分和第四個組成部分分別對應BGRG重復單元中順序排列的B子像素、G子像素、R子像素和G子像素,所述第一個組成部分、所述第三個組成部分和所述第四個組成部分的厚度為所述第二厚度,所述第二個組成部分的厚度為所述第一厚度;
當所述m個子像素以GBGR為重復單元循環排列時,所述第一個組成部分、第二個組成部分、第三個組成部分和第四個組成部分分別對應GBGR重復單元中順序排列的G子像素、B子像素、G子像素和R子像素,所述第一個組成部分的厚度為所述第一厚度,所述第二個組成部分、所述第三個組成部分和所述第四個組成部分的厚度為所述第二厚度;
當所述m個子像素以GRGB為重復單元循環排列時,所述第一個組成部分、第二個組成部分、第三個組成部分和第四個組成部分分別對應GRGB重復單元中順序排列的G子像素、R子像素、G子像素和B子像素,所述第一個組成部分、所述第二個組成部分、所述第四個組成部分的厚度為所述第二厚度,所述第三個組成部分的厚度為所述第一厚度。
5.根據權利要求2至4任一所述的器件,其特征在于,所述預設組成部分為子像素R所對應的組成部分。
6.根據權利要求5所述的器件,其特征在于,
所述色轉換層形成在與所述子像素R所對應的組成部分正對的所述第二電極的遠離發光層的表面。
7.根據權利要求6所述的器件,其特征在于,所述OLED顯示單元還包括位于與所述子像素R所對應的組成部分正對的所述第二電極和所述色轉換層之間的保護層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





