[發明專利]一種放大式場強檢測射極耦合非對稱觸發系統

在審

• 申請號: 201510317430.0
• 申請日: 2015-06-11
• 公開（公告）號: CN104953986A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 雷明方
• 申請（專利權）人: 成都頡盛科技有限公司
• 主分類號: H03K3/013
• 分類號: H03K3/013
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種放大式場強檢測射極耦合非對稱觸發系統，由射極耦合式非對稱電路，以及無源π型濾波電路組成，其特征在于，在射極耦合式非對稱電路與無源π型濾波電路之間還串接有放大式場強檢測射極耦合非對稱觸發電路；該放大式場強檢測射極耦合非對稱觸發電路由放大式場強檢測電路和光束激發式邏輯放大電路組成；所述光束激發式邏輯放大電路由功率放大器P1，與非門IC1，與非門IC2，與非門IC3，負極與功率放大器P1的正極輸入端相連接、正極經光二極管D1后接地的極性電容C6，一端與極性電容C6的正極相連接、另一端經二極管D2后接地的電阻R9，正極與電阻R9和二極管D2的連接點相連接、負極接地的極性電容C8，一端與與非門IC1的負極輸入端相連接、另一端與功率放大器P1的正極輸入端相連接的電阻R10，串接在功率放大器P1的負極輸入端與輸出端之間的電阻R11，一端與與非門IC1的輸出端相連接、另一端與與非門IC3的負極輸入端相連接的電阻R12，正極與與非門IC2的輸出端相連接、負極與與非門IC3的負極輸入端相連接的電容C7，以及一端與極性電容C8的正極相連接、另一端與與非門IC2的負極輸入端相連接的電阻R13組成；所述與非門IC1的正極輸入端與功率放大器P1的負極輸入端相連接，其輸出端與與非門IC2的正極輸入端相連接，與非門IC3的正極輸入端與功率放大器P1的輸出端相連接；所述放大式場強檢測電路由集成塊U1，功率放大器P2，正極經電阻R19后與集成塊U1的DD腳相連接、負極順次經電阻R20、電阻R23、二極管D4、電阻R21后與集成塊U1的COMP腳相連接的極性電容C11，N極經電阻R18后與功率放大器P2的負極輸入端相連接、P極順次經電阻R17、極性電容C10、電阻R16、電阻R14、電阻R15、電容C9后與功率放大器P2的正極輸入端相連接的二極管D3，基極經電阻R25后與集成塊U1的SW腳相連接、其發射極順次經電阻R22、電阻R24、電阻R27后與功率放大器P2的輸出端相連接、其集電極接地的三極管Q4，以及一端與電阻R22與電阻R24的連接點相連接、另一端與集成塊U1的COMP腳相連接的電阻R26組成；所述集成塊U1的SENSE腳與極性電容C10與電阻R17的連接點相連接，其PWM腳與極性電容C11的正極相連接，其ADJ腳與極性電容C11的負極相連接，其IN腳與電阻R14與電阻R16的連接點相連接并作為輸入端與非門IC3的輸出端相連接，其GND腳接地；所述電阻R20與電阻R23的連接點接地；所述電阻22與電阻R24的連接點作為輸出端。

2.根據權利要求1所述的一種放大式場強檢測射極耦合非對稱觸發系統，其特征在于，所述射極耦合式非對稱電路由三極管Q1，三極管Q2，三極管Q3，串接在三極管Q2的發射極與三極管Q3的基極之間的一級濾波電路，串接在三極管Q3的集電極與二極管Q2的集電極之間的電阻R7，串接在三極管Q1的集電極與三極管Q2的集電極之間的電阻R3，串接在三極管Q1的發射極與極性電容C8的正極之間的二級濾波電路，串接在三極管Q1的基極與極性電容C8的正極之間的三級濾波電路，以及串接在三極管Q1的基極與極性電容C8的正極之間的電阻R2和串接在三極管Q3的基極與極性電容C8的正極之間的電阻R6組成；所述三極管Q2的基極與三極管Q1的集電極相連接，其集電極與極性電容C6的正極相連接，所述三極管Q2的發射極與三極管Q3的發射極均接地。

3.根據權利要求2所述的一種放大式場強檢測射極耦合非對稱觸發系統，其特征在于，所述無源π型濾波電路由電容C1、電容C2，以及串接在電容C1的正極與電容C2的正極之間的電阻R8組成；所述電容C2的正極與電阻22與電阻R24的連接點相連接；所述與非門IC3的負極輸入端則與電容C2的負極與電容C1的負極的連接點相連接；電容C1的正極和負極則形成輸出端。

4.根據權利要求3所述的一種放大式場強檢測射極耦合非對稱觸發系統，其特征在于，所述的電容C1、電容C2均為貼片電容。

5.根據權利要求4所述的一種放大式場強檢測射極耦合非對稱觸發系統，其特征在于，所述的一級濾波電路、二級濾波電路及三級濾波電路均為RC濾波電路；所述集成塊U1為SD42524型集成電路。