[發(fā)明專利]連續(xù)生產的粉體微波化學氣相包覆設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510311752.4 | 申請日: | 2015-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN104878368B | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐寧;吳孟濤;趙明;宋英杰;伏萍萍 | 申請(專利權)人: | 天津巴莫科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 天津才智專利商標代理有限公司12108 | 代理人: | 劉美甜 |
| 地址: | 300384 天津市濱海*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 連續(xù)生產 微波 化學 氣相包覆 設備 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種對粉體進行化學氣相包覆的設備,特別是涉及一種可連續(xù)生產的粉體微波化學氣相包覆設備。
背景技術
化學氣相沉積是反應物質在氣態(tài)條件下發(fā)生化學反應,生成固態(tài)物質沉積在固態(tài)基體表面,制備固體材料的工藝技術。化學氣相沉積屬于原子范疇的氣態(tài)傳質過程,主要用于制備薄膜材料。該過程是在常壓或者真空條件下,采用等離子和激光輔助技術促進化學反應,使沉積過程在較低的溫度下進行。涂層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化,從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層,并且可以方便地控制厚度和密度。其突出的特點是繞鍍性好,可在復雜形狀的基體或顆粒材料的表面鍍膜。適合涂覆各種復雜形狀的工件,特別是能涂覆帶有槽、溝、孔,甚至是盲孔的工件。
化學氣相沉積制備的膜的成份和厚度可控,這種特性同樣適合對粉體進行修飾。然而,化學氣相沉積通常是對比表面積較小的宏觀工件進行鍍膜,用于微觀微粒修飾時,由于氣體發(fā)生裂解的位置遠離被包覆的表面,在傳質過程中存在方向性,膜的取向性過強,包覆層厚度不均勻。一般的化學氣相沉積設備是間歇式工作的,批次差異大,無法實現大批量的高速生產。
發(fā)明內容
為了解決上述技術問題,本發(fā)明提供一種連續(xù)生產的粉體微波化學氣相包覆設備,能實現快速連續(xù)生產,且制得產品具有均勻的包覆層,性質均一穩(wěn)定。
為此,本發(fā)明的技術方案如下:
一種連續(xù)生產的粉體微波化學氣相包覆設備,包括進料閥、反應腔和出料閥;所述反應腔為兩端帶有彎管的直管,其中彎管I朝上與所述進料閥相連,彎管II朝下與所述出料閥相連;所述直管上安裝有旋轉驅動裝置,且其側壁上安裝有多個磁控管;所述彎管I與進料閥接口處設有進氣口I,所述直管靠近彎管II的上側設有反應腔抽氣口;所述進料閥包括殼體、設置于所述殼體內部的進料閥轉子,及與所述進料閥轉子設置于同一平面上的進料口、進料閥進氣口、進料閥抽氣口和進料調速閥;所述進料閥進氣口和進料閥抽氣口相鄰設置;所述進料閥轉子能在所述殼體內部自由旋轉,且與殼體內壁相切形成密封;所述出料閥包括外殼、設置于所述外殼內部的出料閥轉子,及與所述出料閥轉子設置于同一平面上的進氣口、出料閥進氣口、出料閥抽氣口和出料口;所述出料閥進氣口和出料閥抽氣口相鄰設置;所述出料口設置于外殼的正下方;所述出料閥轉子能在所述外殼內部自由旋轉,且與外殼內壁相切形成密封,所述進料閥轉子和出料閥轉子均為一端開口。
所述進料閥轉子旋轉,其開口端依次在進料口、進料閥進氣口和進料閥抽氣口、進料調速閥三個位置停留,如此循環(huán)。所述進料閥轉子可按順時針旋轉。
所述出料閥轉子旋轉,其開口端依次在彎管II出口的正下方、進氣口、出料口、出料閥進氣口和出料閥抽氣口四個位置停留,如此循環(huán)。所述出料閥轉子可按逆時針旋轉。
所述進料閥的殼體在所述進料調速閥的上側形成有進料緩沖腔。
所述出料閥在與所述彎管II的連接處形成有出料緩沖腔。
所述直管的兩端分別通過機械密封與彎管I和彎管II連接。
所述進料口、進料閥進氣口和進料閥抽氣口設置于殼體上側,所述進料調速閥設置于所述殼體的正下方。
所述進料調速閥為圓錐狀,伸入所述彎管I內部。
所述反應腔以氣流、重力、電磁力和內壁加設傳送裝置中的一種或組合對物料進行傳送。
化學氣相沉積用于對粉體材料的微觀顆粒進行包覆時,稱之為化學氣相包覆。
該連續(xù)生產的粉體微波化學氣相包覆設備,采用微波對待包覆粉體直接加熱,使氣體在粉體顆粒表面裂解、反應,氣體傳質路徑長,原子傳質路徑短,有利于生成均勻的包覆層。同時,設備增加攪拌功能,使包覆更加均勻。并且,針對過程特點,設計了連續(xù)進出料的機構,使生產過程平穩(wěn)連續(xù)。本發(fā)明的設備可以快速連續(xù)生產,產品的性質均一穩(wěn)定。
附圖說明
圖1為本發(fā)明連續(xù)生產的粉體微波化學氣相包覆設備的結構示意圖;
圖2a為進料閥的進料狀態(tài)圖;
圖2b為進料閥的壓力平衡狀態(tài)圖;
圖2c為進料閥的輸送物料狀態(tài)圖
圖3a為出料閥的接收物料狀態(tài)圖;
圖3b為出料閥的進氣狀態(tài)圖;
圖3c為出料閥的出料狀態(tài)圖;
圖3d為出料閥的壓力平衡狀態(tài)圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施方式對該連續(xù)生產的粉體微波化學氣相包覆設備進行詳細描述。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





