[發(fā)明專利]X射線探測基板及其制作方法、探測裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510282665.0
• 申請日: 2015-05-28
• 公開（公告）號: CN104900669A
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發(fā)明（設計）人: 卜倩倩
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L29/417
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種X射線探測基板，包括依次設置在襯底基板上的薄膜晶體管和光電二極管，所述光電二極管與所述薄膜晶體管的源極電連接，所述薄膜晶體管上設置有刻蝕保護層，其特征在于，所述源極包括第一部分和厚度大于該第一部分的第二部分，所述刻蝕保護層覆蓋所述第一部分，所述光電二極管設置在所述第二部分上，所述刻蝕保護層的上表面與所述第二部分的上表面形成為相平齊的表面，所述光電二極管設置在所述相平齊的表面上。

2.根據(jù)權利要求1所述的X射線探測基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括依次設置在所述襯底基板上的柵極、柵絕緣層、有源層、所述源極和漏極，其中，所述源極采用半色調掩膜板進行制作。

3.根據(jù)權利要求1所述的X射線探測基板，其特征在于，所述光電二極管包括依次設置在所述源極上的第一摻雜層、本征層和第二摻雜層。

4.根據(jù)權利要求3所述的X射線探測基板，其特征在于，所述第一摻雜層為N型非晶硅層，所述第二摻雜層為P型非晶硅層。

5.根據(jù)權利要求3所述的X射線探測基板，其特征在于，所述第一摻雜層的厚度在之間，所述本征層的厚度在1-1.5μm之間，所述第二摻雜層的厚度在之間。

6.根據(jù)權利要求1至5中任意一項所述的X射線探測基板，其特征在于，所述X射線探測基板還包括設置在所述光電二極管上的第一電極層、鈍化層、第二電極層和平坦化層，其中，所述第二電極層通過貫穿所述鈍化層的過孔與所述第一電極層相連。

7.根據(jù)權利要求1至5中任意一項所述的X射線探測基板，其特征在于，制作所述刻蝕保護層的材料包括硅的氧化物和/或硅的氮化物。

8.一種探測裝置，其特征在于，包括X射線發(fā)射源和權利要求1至7中任意一項所述的X射線探測基板。

9.一種X射線探測基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底基板上形成薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管的源極包括第一部分和厚度大于該第一部分的第二部分；

在所述薄膜晶體管上形成刻蝕保護層，所述刻蝕保護層覆蓋所述第一部分；

在所述第二部分上形成光電二極管，使所述光電二極管與所述源極電連接；

所述刻蝕保護層的上表面與所述第二部分的上表面形成為相平齊的表面，所述光電二極管形成在所述相平齊的表面上。

10.根據(jù)權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述形成薄膜晶體管的步驟包括：

在襯底基板上形成柵金屬層，并對所述柵金屬層進行圖形化處理，得到包括柵極的圖形；

在所述柵極和柵線上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成有源層；

在所述有源層上形成源漏金屬層，采用半色調掩膜板對所述源漏金屬層進行圖形化處理，得到包括源極和漏極的圖形。

11.根據(jù)權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述形成光電二極管的步驟包括：

在所述源極上方依次形成第一摻雜層、本征層和第二摻雜層，并進行圖形化處理，得到所述光電二極管。

12.根據(jù)權利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述第一摻雜層為N型非晶硅層，所述第二摻雜層為P型非晶硅層。

13.根據(jù)權利要求9至12中任意一項所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

在所述光電二極管上依次形成第一電極層、鈍化層、第二電極層和平坦化層，其中，所述第二電極層通過貫穿所述鈍化層的過孔與所述第一電極層相連。