[發明專利]光刻抗反射層的離線監控方法

有效

• 申請號: 201510272206.4
• 申請日: 2015-05-25
• 公開（公告）號: CN104882393B
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 范榮偉;陳宏璘;龍吟;倪棋梁
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 智云

1.光刻抗反射層氣泡缺陷的離線監控方法，用于對半導體工藝流程中光刻抗反射層的氣泡缺陷進行監控，所述半導體工藝流程包括：阻擋結構的制作、光刻抗反射層的制作、光刻膠層的制作、光刻膠的刻蝕工藝，光刻抗反射層的刻蝕工藝，阻擋結構的頂部刻蝕工藝，其特征在于，包括：

提供監控用半導體襯底，所述監控用半導體襯底上形成有監控薄膜結構，

所述監控薄膜結構的制作方法與用于被監控的半導體工藝流程的阻擋結構的制作方法一致；

在所述監控薄膜上方依次形成光刻抗反射層和光刻膠層，所述光刻抗反射層和光刻膠層的制作方法與被監控的半導體工藝流程的光刻抗反射層和光刻膠層的制作方法一致；

進行光刻抗反射層刻蝕，所述光刻抗反射層刻蝕與被監控的半導體工藝流程的光刻抗反射層的刻蝕工藝一致；

進行阻擋結構的頂部刻蝕工藝，所述頂部刻蝕工藝與被監控的半導體工藝流程的頂部刻蝕工藝一致；

對阻擋結構進行光學檢測，通過阻擋結構缺陷分布情況判斷光刻抗反射層的氣泡缺陷情況。

2.如權利要求1所述的光刻抗反射層氣泡缺陷的離線監控方法，其特征在于，所述監控用半導體襯底的材質為硅。

3.如權利要求1所述的光刻抗反射層氣泡缺陷的離線監控方法，其特征在于，所述阻擋結構包括：底部氧化硅阻擋層、位于底部氧化硅阻擋層上方的氮化硅阻擋層、位于氮化硅阻擋層上方的頂部氧化硅阻擋層，所述阻擋結構的頂部刻蝕工藝為對所述頂部氧化硅阻擋層進行刻蝕工藝，對所述阻擋結構進行光學檢測為對所述阻擋結構的氮化硅阻擋層進行光學檢測。

4.如權利要求1所述的光刻抗反射層氣泡缺陷的離線監控方法，其特征在于，所述頂部刻蝕工藝為干法刻蝕工藝。

5.如權利要求1所述的光刻抗反射層氣泡缺陷的離線監控方法，其特征在于，所述光刻抗反射層的刻蝕工藝為干法刻蝕工藝。

6.如權利要求3所述的光刻抗反射層氣泡缺陷的離線監控方法，其特征在于，所述光學檢測利用亮場或暗場檢測，所述光學檢測為對所述氮化硅阻擋層進行檢測。

7.如權利要求6所述的光刻抗反射層氣泡缺陷的離線監控方法，其特征在于，所述光學檢測利用亮場檢測。

8.如權利要求1或7所述的光刻抗反射層氣泡缺陷的離線監控方法，其特征在于，所述光學檢測利用KLA 28系列檢測設備進行。

9.如權利要求8所述的光刻抗反射層氣泡缺陷的離線監控方法，其特征在于，所述光學檢測的參數為：120納米像素，采用藍帶光波，反射光收集模式。

10.如權利要求1所述的光刻抗反射層氣泡缺陷的離線監控方法，其特征在于，若檢測所述阻擋結構上沒有氣泡缺陷，所述監控用半導體襯底可重復使用。